問いしるべ
問いから始める物理 マクスウェル方程式

マクスウェル方程式

場のエネルギーとその流れの演習

著者:柚木芹香

流入電力と発熱・蓄積を比べ,外積の向きを確かめてください.

演習 1

オリジナル ★☆☆☆☆

体積 2.0×10−4m3 の真空領域に,一定の一様電場 E=3.0×104Vm−1 と磁場 B=1.0×10−4T があります.両者は平行です.ε0=8.85×10−12Fm−1,μ0=4π×10−7Hm−1 とします.

  1. 各場のエネルギー密度と全エネルギーを求めよ.

  2. ポインティングベクトルを求めよ.

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考え方
密度と流れを分ける.

  1. uE=ε0E2/2=4.0×10−3Jm−3,uB=B2/(2μ0)=4.0×10−3Jm−3.体積を掛けると U=1.6×10−6J.

  2. 平行なので S=E×B/μ0=0.密度がほぼ等しくても流れがあるとは限らない.

演習 2

オリジナル ★★☆☆☆

真空中にある内半径 a,外半径 b の非磁性の中空抵抗管に直流 I を +z 向きに流します.軸上の理想導線に,−z 向きに同じ電流を流します.中央の長さ ℓ の部分の抵抗は R,内部の軸方向電場は Ez=IR/ℓ です.軸対称とし,端を無視します.

  1. 管の内面と外面の磁場の接線成分 Bϕ を求めよ.+z 側から見た反時計回りを正とする.

  2. エネルギーが入る面を求め,流入電力を発熱と比べよ.

内半径 a,外半径 b の抵抗管と軸上の理想帰線.抵抗管には +z 向き,帰線には −z 向きに同じ電流 I が流れる.抵抗管の対象部分の長さ ℓ と抵抗 R を示す.断面の ⊙ と ⊗ は電流の向きを表す. 内半径 a,外半径 b の抵抗管と軸上の理想帰線.抵抗管には +z 向き,帰線には −z 向きに同じ電流 I が流れる.抵抗管の対象部分の長さ ℓ と抵抗 R を示す.断面の ⊙ と ⊗ は電流の向きを表す.
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考え方
帰線の磁場と,内面の法線に注意する.

  1. 閉じた円周に沿って一周すると 2πrBϕ=μ0Iin.内面は帰線だけを囲み Bϕ(a)=−μ0I/(2πa),外面は全電流0で Bϕ(b)=0.

  2. ez×eϕ=−er より Sr=−EzBϕ/μ0.内面はSr(a)=I2R/(2πaℓ)>0,外面では0.空洞から内面へ入り,電力は 2πaℓSr(a)=I2R で発熱と等しい.b/ℓ が十分小さく,端から離れた所に適用できる.

演習 3

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a,間隔 d の真空円板コンデンサーを抵抗 R を通して一定電圧 Vf の電源で充電します.初期電荷0.C=ε0πa2/d,τ=RC とし,極板間を一様な Ez=V/d で近似します.d/a,a/(cτ) は十分小さく,c=1/ε0μ0 です.最初の過渡と縁は除きます.

  1. V(t) を求め,変位電流から側面の磁場を求め,流入電力を V と dVdt で表せ.

  2. 流入電力が最大の時刻と値,同時刻の電源の仕事率と発熱率も求めよ.

一定電圧 V_f の電源,抵抗 R,容量 C の充電回路と円板極板の形状.半径 a と間隔 d を記し,極板間の円筒側面を破線と薄い塗りで示す. 一定電圧 V_f の電源,抵抗 R,容量 C の充電回路と円板極板の形状.半径 a と間隔 d を記し,極板間の円筒側面を破線と薄い塗りで示す.
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考え方
電源の電力を発熱と蓄積に分ける.

  1. Vf=RI+V,I=CdVdt より dVdt=(Vf−V)/τ.初期条件から V=Vf(1−e−t/τ).2πaBϕ=μ0ε0πa2dEzdt なので Bϕ=μ0ε0adVdt/(2d).Sr=−EzBϕ/μ0 より

Pin=−2πadSr=CVdVdt=ddt(12CV2).
  1. x=e−t/τ とすると Pin=Vf2x(1−x)/R.x(1−x)=1/4−(x−1/2)2 より,最大は t=τln⁡2,Pin=Vf2/(4R).この瞬間 V=Vf/2,I=Vf/(2R) より電源は VfI=Vf2/(2R),発熱は I2R=Vf2/(4R).差が流入電力に等しい.小さい量は d/a,a/(cτ).最初の t が a/c 程度の過渡も除く.

演習 4

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a,長さ ℓ,単位長さ当たりの巻数 n の真空ソレノイドにI=I0et/τ を流します.a/ℓ と a/(cτ) が十分小さいとしてBz=μ0nI で近似します.抵抗と端を無視し,c=1/ε0μ0 とします.

  1. 内部の半径 r<a での誘導電場 Eϕ(r) と側面からの流入電力を求め,磁場への蓄積率と比べよ.

  2. ソレノイド内部の電場エネルギー UE を体積積分で見積もり,同じ領域の磁場エネルギー UB との比を求めよ.

ソレノイドの半径 a,長さ ℓ,単位長さ当たりの巻数 n と内部の半径 r の円を示す.与えられた磁場 B_z は +z 向きで,横向きの矢印と断面の ⊙ で表す. ソレノイドの半径 a,長さ ℓ,単位長さ当たりの巻数 n と内部の半径 r の円を示す.与えられた磁場 B_z は +z 向きで,横向きの矢印と断面の ⊙ で表す.
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考え方
外積から流入の符号を決める.

  1. 2πrEϕ=−πr2dBzdt から Eϕ=−μ0nIr/(2τ).Sr=EϕBz/μ0 だから Pin=−2πaℓSr(a)=μ0n2πa2ℓI2/τ.一方,UB=Bz2πa2ℓ/(2μ0)=μ0n2πa2ℓI2/2.dIdt=I/τ より dUBdt=Pin.

  2. 体積 2πrℓdr を使うと

UE=∫0aε02(μ0nIr2τ)22πrℓdr=ε0μ02n2I2πℓa416τ2.

よって UE/UB=a2/(8c2τ2).(1)は磁場エネルギーだけの近似であり,電場まで含めるには磁場の補正も要る.適用条件は a/ℓ,a/(cτ) の小ささである.

演習 5

オリジナル ★★★☆☆

真空の理想同軸ケーブルの内導体半径は a=0.50mm,外導体の内半径は b です.電流 I=0.10A は内導体を +z,外導体を逆向きに流れます.内導体が V=20V 高電位です.断面の a<r<rm を通る電力 P(rm) を測りました.

rm

1.0mm

2.0mm

4.0mm

P(rm)

0.40W

0.80W

1.20W

  1. ガウスとアンペールの法則から Er,Bϕ を求め,P(rm) の式を導け.

  2. 直線化で模型を確かめ,b を求めよ.最初の測定電力の誤差が ±0.02W のとき,その測定だけから推定する b の範囲を求めよ.この範囲の推定では a,V,I,rm は正確とする.

同軸断面の内導体半径 a,外導体の内半径 b,測定半径 r_m と電位差 V を示す.a と r_m の間を薄く塗る.⊙ は +z 向きの内導体電流,⊗ は逆向きの外導体電流 I を表す.半径は模式的に描く. 同軸断面の内導体半径 a,外導体の内半径 b,測定半径 r_m と電位差 V を示す.a と r_m の間を薄く塗る.⊙ は +z 向きの内導体電流,⊗ は逆向きの外導体電流 I を表す.半径は模式的に描く.
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考え方
対数半径に対して直線化する.

  1. 線電荷密度 λ に対し 2πrEr=λ/ε0.V=∫abErdr=λln⁡(b/a)/(2πε0) より Er=V/[rln⁡(b/a)].Bϕ=μ0I/(2πr) だから Sz=VI/[2πr2ln⁡(b/a)].積分して

P(rm)=∫armSz2πrdr=VIln⁡(rm/a)ln⁡(b/a).
  1. ln⁡(rm/a) は ln⁡2,2ln⁡2,3ln⁡2 で,電力も同比なので原点を通る直線になる.VI=2.0W なので ln⁡(b/a)=2.0ln⁡2/0.40=5ln⁡2.b=32a=16mm.誤差から a22.0/0.42≤b≤a22.0/0.38,約 14mm から 19mm となる.rm=b で P=VI となり,収支が合う.

ポイント 教える人へ

中空導体の内面の法線の向きを問う.
電源の仕事,発熱,蓄積を同じ時刻で比べさせる.
近似の適用条件と,推定値の誤差の非対称性を確かめる.