問いしるべ
問いから始める物理 電流と磁場

電流と磁場

第22章の発展問題

著者:柚木芹香

軌道の集束,磁気鏡,磁場の一様性,磁石の連成運動を調べます.新たに必要となる近似や模型の式は各問題で示しますので,保存則と運動方程式に戻って適用範囲も確かめてください.

演習 1

IPhO 1977 第3問(改題) ★★★★☆

質量 m,電荷 q>0 のイオンを,静止から電圧 V>0 で加速し,原点から狭い円すい状に放出します.全粒子の速さは v,+z 軸との角は 0≤θ≤θm<π/2,θm>0 です.空間には一様な +z 向きの磁場があり,z=D>0 の平面で各粒子の軸からの距離 ρ を測ります.非相対論的な運動とし,n は正の整数とします.

  1. 指定した角 0<θ≤θm の粒子が n 回転して軸上の z=D に達する磁場を求めよ.次に基準磁場 Bn=2πnmv/(qD) で,任意の θ の粒子の ρ を求めよ.

  2. θm2 と nθm2 が十分小さいとします.B=Bn(1+η),|η| は θm2 程度として,ρ の先頭の式を導け.基準磁場での最大の ρ は n を増やすと小さくなるか.

  3. η=−c0θm2,0<c0<1/2 として,円すい内の最大の ρ を最小にする c0 を求めよ.同じ近似での最小値を求め,基準磁場の場合と比較せよ.

原点のイオン源から正のz軸のまわりの半角θ_mの範囲へ粒子を放出する.磁場は正のz方向で,検出面はzがDの平面である.面上の印は観測距離ρの定義のための任意の位置を表す. 原点のイオン源から正のz軸のまわりの半角θ_mの範囲へ粒子を放出する.磁場は正のz方向で,検出面はzがDの平面である.面上の印は観測距離ρの定義のための任意の位置を表す.
解答を見る

考え方 軸方向の飛行時間と回転位相を結び付ける.円すいの端だけでなく,内部の粒子のずれも含めて磁場を最適化する.

  1. mv2/2=qV より v=2qV/m.ω=qB/m とすると検出面までの時間は tD=D/(vcos⁡θ).ωtD=2πn から B=2πnmvcos⁡θ/(qD) である.円運動の半径は r=vsin⁡θ/ω,原点からの横変位の大きさは,円の弦の長さ 2r|sin⁡(ωtD/2)| になる.基準磁場では

ρ=Dsin⁡θπn|sin⁡(πncos⁡θ)|

で,θ=0 の粒子は常に軸上を進む.

  1. 一般の磁場で r=Dsin⁡θ/[2πn(1+η)],ωtD=2πn(1+η)/cos⁡θ.1/cos⁡θ≈1+θ2/2 より,整数回転からの位相差は Δϕ≈2πn(η+θ2/2).|Δϕ| が十分小さければ弦の長さは r|Δϕ| なので

ρ≈Dθ|η+θ22|

となる.η=0 の最大値は Dθm3/2 で,先頭の式には n が残らない.回転数を増やすだけでは,角度の広がりによるずれは減らない.

  1. s=θ/θm とすると,最大化する無次元量は |f(s)|,f(s)=s3/2−c0s,0≤s≤1.f′(s)=3s2/2−c0 より,内部の負の極小は s∗=2c0/3 にあり,|f(s∗)|=(2c0/3)3/2.端では f(1)=1/2−c0.前者は c0 とともに増加し,後者は減少するため,最適点では両者が等しい.c0=3/8 を代入すると s∗=1/2,両値は 1/8 となる.したがって

Bopt≈Bn(1−3θm28),ρmax,opt≈Dθm38

で,基準磁場の最大ずれの1/4である.この最適化には θm2 に加えて nθm2 も十分小さいこと,また v/c が十分小さいことが必要である.

演習 2

IPhO 2019 第2問(改題) ★★★★☆

+y 向きの一様電場 E>0 と +z 向きの一様磁場 B>0 を,0<y<h に加えます.境界は無限に広く,y=h の原点の真上 (0,h) に,小さな受け口を設けます.質量 m,電荷 q>0 の粒子を (0,0) から −x 向きに速さ vi>0 で入射し,受け口に到達させます.重力,衝突,粒子自身の場は無視します.u=E/B,ω=qB/m とします.

  1. 領域内の x(t),y(t) を求めよ.

  2. ϕ∗ を到達時の ωt として,0<ϕ∗<π の間に受け口に到達する vi を,ϕ∗ を使って表せ.ϕ∗ を決める方程式を示し,任意の h>0 で解がただ1つあることを示せ.

  3. ε=ωh/u が十分小さいとき,到達時間と必要な vi の先頭の近似を求めよ.到達時の速さを仕事から求め,電場を強くすればこの近似をいつまでも使えるか論じよ.

電場Eは正のy方向,磁場Bは正のz方向で,0からhのy領域にだけ存在する.粒子は原点から負のx方向へ速さv_iで入射する.受け口は原点の真上の位置(0,h)にある. 電場Eは正のy方向,磁場Bは正のz方向で,0からhのy領域にだけ存在する.粒子は原点から負のx方向へ速さv_iで入射する.受け口は原点の真上の位置(0,h)にある.
解答を見る

考え方 ドリフト速度を引いた速度は回転する.横方向の戻りと,縦方向の到達を同時に満たす初速度を決める.

  1. 運動方程式は dvxdt=ωvy,dvydt=ω(u−vx).w=vx−u とすれば d2wdt2=−ω2w で,w(0)=−(u+vi),dwdt(0)=0.よって vx=u−(u+vi)cos⁡ωt,vy=(u+vi)sin⁡ωt.積分すると

x=ut−u+viωsin⁡ωt,y=u+viω(1−cos⁡ωt)

となる.一様な場が続くなら,この初速度の軌道はループをもつ.

  1. x=0 の条件は uϕ∗=(u+vi)sin⁡ϕ∗ なので,vi=u(ϕ∗/sin⁡ϕ∗−1).y=h の条件へ代入して

ωhu=ϕ∗1−cos⁡ϕ∗sin⁡ϕ∗=ϕ∗tan⁡ϕ∗2

を得る.右辺は 0<ϕ∗<π で0から無限大まで増加し,微分も tan⁡(ϕ∗/2)+ϕ∗sec2⁡(ϕ∗/2)/2>0.したがって解はただ1つである.この時間内では vy>0 だから,途中で境界を出ない.また x は初め減少し,dvxdt>0 なので,この到達は初めての x=0 への帰還になる.

  1. tan⁡(ϕ∗/2)≈ϕ∗/2 より ϕ∗≈2ε.また ϕ∗/sin⁡ϕ∗−1≈ϕ∗2/6 なので

t∗≈2huω,vi≈ωh3

となる.磁気力は仕事をせず,電場の仕事は qEh だから,到達速度の大きさは v∗=vi2+2qEh/m.軌道からも vx2+vy2−vi2=2u(u+vi)(1−cos⁡ωt)=2qEy/m と確かめられる.電場を強くすると ε は小さくなるが,v∗2/c2 は増える.近似には ε と v∗2/c2 の両方が十分小さいことが必要である.

演習 3

オリジナル ★★★★☆

軸対称な,時間によらない磁場で磁気鏡を作ります.軸上の場は +z 向きに B(z)=B0(1+z2/L2) で,z=±D に出口を置きます.出口面へ到達した粒子は失われます.質量 m,電荷 q>0 の粒子を z=0 から速さ v,場との角 0<θ<π/2 で送り出します.電場と重力はありません.

粒子の回転半径は磁場の変化の長さに比べて十分小さく,回転の中心は軸に沿ってゆっくり進むものとします.軸から距離 r の場の半径成分は,磁束の閉じる条件から Br≈−rdBdz/2 と近似できます.

  1. この Br の式を,短い円筒の面を通る正味の磁束が0であることから説明せよ.局所的な回転速度 v⟂ を使って,回転平均の軸方向の力を求めよ.

  2. エネルギー保存から v⟂2/B が一定となることを導き,折り返す位置と,閉じ込められる θ の条件を求めよ.z=0 で速度の向きが全立体角に一様な集団なら,失われる割合はいくらか.

  3. 閉じ込められた粒子の軸方向の往復周期を求めよ.θ→0 の周期の極限を,実際の閉じ込めと近似条件の両面から点検せよ.

上段は与えられた軸上磁場B(z)と出口の位置を示す.下段左は中央での入射速度vと磁場との角θである.下段右は短い円筒の半径rと座標成分の正方向を定義し,実際の半径成分の符号は示さない. 上段は与えられた軸上磁場B(z)と出口の位置を示す.下段左は中央での入射速度vと磁場との角θである.下段右は短い円筒の半径rと座標成分の正方向を定義し,実際の半径成分の符号は示さない.
解答を見る

考え方 非一様な磁場には横成分もある.その横成分と回転速度の外積が,回転平均での反射力を生む.

  1. 長さ dz,半径 r の円筒では,端面からの正味の磁束は πr2dBdzdz,側面からは 2πrBrdz.和を0と置いて Br≈−rdBdz/2 を得る.正電荷の回転は局所的な +z 側から見て時計回りなので,方位方向の速度は vϕ=−v⟂.ローレンツ力の軸成分は Fz=−qvϕBr.r=mv⟂/(qB) を代入すると

Fz≈−mv⟂22BdBdz

となり,場の強い方へ進む粒子を減速する.

  1. 速さ全体は一定で,v∥2+v⟂2=v2.軸方向の運動方程式に v∥ を掛けると dv∥2dt=−v⟂2dBdt/B.全体の速さが一定であることから dv⟂2dt=v⟂2dBdt/B となり,d(v⟂2/B)dt=0.初期条件で

v∥2=v2[1−sin2⁡θB(z)B0]=v2(cos2⁡θ−z2L2sin2⁡θ)

を得る.折り返し位置は zm=Lcot⁡θ.出口に届かない条件は Lcot⁡θ<D,すなわち sin2⁡θ>1/(1+D2/L2) である.臨界角を θc とすると,両極の開き角 θc の円すいの合計立体角は 4π(1−cos⁡θc).失われる割合は

floss=1−cos⁡θc=1−1−11+D2/L2

である.

  1. 保存される比を力へ代入して d2zdt2=−v2sin2⁡θz/L2.初期条件 z(0)=0,dzdt(0)=vcos⁡θ より z=Lcot⁡θsin⁡(vsin⁡θt/L).周期は Tb=2πL/(vsin⁡θ).θ→0 では発散するが,有限の D では先に閉じ込め条件が破れ,往復周期を実測できなくなる.近似の十分条件は,ω0=qB0/m として v/(ω0L) が十分小さいことであり,回転半径と磁場の変化の長さの比,1回転中の場の変化の割合がともに小さくなる.

演習 4

オリジナル ★★★★★

半径 R,巻数 N の薄い円形コイル2個を,同軸の z=±h/2 に置き,同じ電流 I を流します.1個の軸上の場は b1(z)=μ0NIR2/[2(R2+z2)3/2] です.2個の軸上の合成場を b(z),中央の値を Bc=b(0) とします.この問題では,2次の軸上の変化を消す設計値 h=R が指定されています.

  1. h=R で b(z)/Bc=1+c4(z/R)4+⋯ の c4 を求めよ.(1+x)−3/2=1−3x/2+15x2/8−35x3/16+315x4/128+⋯ を使ってよいとします.

  2. 中央付近の電流のない領域では,∇⋅B=0,∇×B=0 が成り立ちます.軸からの距離を ρ とすると,軸対称な場では ρ−1∂∂ρ(ρBρ)+∂Bz∂z=0,∂Bρ∂z−∂Bz∂ρ=0 です.これらから Bz=b(z)−ρ2b″(z)/4+ρ4b⁗(z)/64+⋯ を導き,中央面 z=0 の場の先頭の変化を求めよ.ここでプライムは z による微分です.

  3. 相対誤差を ϵB 以下にする範囲を,軸上 |z|≤d と中央面の円板 ρ≤d で比較せよ.次に h=R(1+δh),|δh| が十分小さい場合の軸上の2次の項を求め,間隔誤差が4次の変化より支配的になる条件を示せ.

同じ電流Iを流すN巻のコイルをzが負と正のh/2の位置に置く.設計間隔hはRと等しい.中央の軸上区間と,中央面内の円板を橙で示す. 同じ電流Iを流すN巻のコイルをzが負と正のh/2の位置に置く.設計間隔hはRと等しい.中央の軸上区間と,中央面内の円板を橙で示す.
解答を見る

考え方 2次の項が消えても4次は残る.軸上の場から横方向の場を決め,設計間隔の誤差で2次が復活することを調べる.

  1. s=z/R,A=5/4 とおくと,2個の和を中央の値で割って

b(z)Bc=12[(1+s2+sA)−3/2+(1+s2−sA)−3/2]

となる.奇数次は相殺する.2次の係数は −3/(2A)+15/(8A2)=0.4次の係数は

c4=158A2−10516A3+315128A4=−144125

である.

  1. 軸上で滑らかな場を Bz=b+aρ2+cρ4+⋯,Bρ=d1ρ+e1ρ3+⋯ と展開する.係数は z の関数である.発散の式から 2d1+b′=0,4e1+a′=0,回転の式から d1′−2a=0,e1′−4c=0 を得る.順に d1=−b′/2,a=−b″/4,e1=b‴/16,c=b⁗/64 で,指定の式が得られる.(1)の4次までを代入すると

BzBc=1+c4R4(z4−3ρ2z2+3ρ48)+⋯

である.中央面では対称性から Bρ=0 で,Bz/Bc=1−54(ρ/R)4/125+⋯.

  1. 先頭の誤差だけで評価すると,軸上では d/R≤(125ϵB/144)1/4,中央面では d/R≤(125ϵB/54)1/4.したがって中央面の許される半径は軸上の半長の (8/3)1/4 倍になる.たとえば ϵB=1.0×10−3 では,それぞれ d/R の上限の見積もりは0.17,0.22である.

一般の間隔での2次の係数は,sh=h/R として c2=3(sh2−1)/[2(1+sh2/4)2].sh=1+δh を代入して c2≈48δh/25 を得る.軸上の端では,間隔誤差と4次の誤差の大きさの比は

(48/25)|δh|(d/R)2(144/125)(d/R)4=5|δh|3(d/R)2

なので,|δh|>3(d/R)2/5 では間隔誤差の方が大きい.符号による相殺に頼らない十分条件は 48|δh|(d/R)2/25+144(d/R)4/125≤ϵB である.これらは d/R と |δh| が十分小さい範囲の見積もりで,有限範囲の厳密な誤差保証には元の場の式で確かめる必要がある.

演習 5

オリジナル ★★★★★

同じ大きさ m0 の永久磁気モーメントをもつ小磁石2個を,中心間距離 d で z 軸上に固定します.各磁石は xz 平面内で摩擦なしで回転でき,その慣性モーメントは J です.+z からの符号付きの角を θ1,θ2 とします.磁石の寸法は d に比べて十分小さく,モーメントは回転中も一定です.電流を一定に保つ外部コイルが,一様な −z 向きの場 B≥0 を作ります.

点双極子の場を B1=μ0[3(m1⋅ez)ez−m1]/(4πd3) とします.磁石間の力学的な相互作用エネルギーは U12=−m2⋅B1 で,外部コイルの電源を含めた有効な力学的ポテンシャルは,さらに −m1⋅B−m2⋅B を足したものです.K=μ0m02/(4πd3) とおきます.

  1. U を角度で表し,θ1=θ2=0 の配置で,中心間距離を増す向きを正とする力 Fd を求めよ.微分では両モーメントと外部コイルの電流を一定に保ちます.

  2. この配置のまわりで2つの回転の基準振動を求め,安定となる B の範囲を示せ.B を増すと,どちらの振動が先に不安定になるか.

  3. 0<B<K/m0 とします.2個を逆向きに回す対称な経路 θ1=θ,θ2=−θ,0≤θ≤π に沿って,最初の配置から両モーメントを逆転するためのポテンシャルの障壁を求めよ.不安定になる境目へ近づくと,障壁と低い方の角振動数はどのように0へ近づくか.

二つの磁石の中心をz軸上に距離dを隔てて固定する.各磁石は紙面のxz平面内で回転でき,角θ₁とθ₂は正のz方向から測る.外部コイルは負のz方向の磁場Bを作る. 二つの磁石の中心をz軸上に距離dを隔てて固定する.各磁石は紙面のxz平面内で回転でき,角θ₁とθ₂は正のz方向から測る.外部コイルは負のz方向の磁場Bを作る.
解答を見る

考え方 相互作用を二重に数えずにポテンシャルを作る.和と差の角度で振動を分け,最後に有限角の障壁を調べる.

  1. mi=m0(sin⁡θiex+cos⁡θiez) を代入すると

U=K(sin⁡θ1sin⁡θ2−2cos⁡θ1cos⁡θ2)+m0B(cos⁡θ1+cos⁡θ2)

となる.両角が0なら U=−2K+2m0B.K∝d−3 より,Fd=−∂U∂d=−6K/d=−3μ0m02/(2πd4) で,引力である.一様な外部場は並進力に寄与しない.外部場の項は場だけのエネルギーではなく,電流を一定に保つ電源の仕事を含めたポテンシャルである.

  1. 2次まで展開すると U=U(0,0)+(K−m0B/2)(θ12+θ22)+Kθ1θ2+⋯.トルクは角度による負の微分なので

Jd2θ1dt2=−(2K−m0B)θ1−Kθ2,Jd2θ2dt2=−(2K−m0B)θ2−Kθ1

となる.和 θ+=θ1+θ2 と差 θ−=θ1−θ2 の方程式は Jd2θ+dt2=−(3K−m0B)θ+,Jd2θ−dt2=−(K−m0B)θ−.したがって同方向と逆方向の角振動数は

ω+=3K−m0BJ,ω−=K−m0BJ

である.線形の復元力が両方にある範囲は 0≤B<K/m0.先に不安定になるのは逆方向の振動である.等号ではこの振動の2次の復元力が消えるので,有限角を調べる必要がある.

  1. 指定の経路では U(θ)=−K(1+cos2⁡θ)+2m0Bcos⁡θ.b=m0B/K,0<b<1 とおけば dUdθ=2Ksin⁡θ(cos⁡θ−b).θ=0 から増やすと,cos⁡θs=b まで上り,その後は下る.頂点で Us=−K+Kb2,初期値は U0=−2K+2Kb なので

ΔU=K(1−b)2

である.ϵ=1−b→0+ では ΔU=Kϵ2,ω−=K/Jϵ1/2.障壁の方が速く0へ近づく.b=1 でこの経路の変化は U(θ)−U(0)=−K(1−cos⁡θ)2≤0 となり,境目の配置は安定ではない.小振動には角振幅の2乗が十分小さいことが必要で,境目の近くではさらに逆方向の角振幅の2乗が ϵ に比べて十分小さいことが要る.点双極子の近似には磁石の寸法と d の比も十分小さいことが必要である.