問いしるべ
問いから始める物理 マクスウェル方程式

マクスウェル方程式

変位電流とマクスウェル方程式の演習

著者:柚木芹香

面と閉じた道の向きをそろえ,伝導電流と変位電流を符号つきで足してください.準静的として扱える条件も確かめましょう.

演習 1

オリジナル ★☆☆☆☆

真空中の固定した面を貫く電束が, ΦE=Φ0+At2 と変化します.面の法線は +z 向き,A=2.0×105Vms−2,ε0=8.9×10−12Fm−1 とします.

  1. t=3.0×10−3s での変位電流を求めよ.

  2. 同じ面を −z 向きに 6.0×10−9A の伝導電流が貫くとき,縁を一周する磁場の線積分の符号を求めよ.正方向は +z 側から見て反時計回りとする.

解答を見る

考え方
電束の時間変化率を使い,法線に逆らう電流を負とする.

  1. Id=ε0dΦEdt=2ε0At だから,Id=1.1×10−8A.

  2. 閉じた縁に沿って一周する積分は ∫B⋅dl=μ0(I+Id) である.和は正なので積分は正.磁場の向きには対称性も要る.ε0ΦE は電荷の次元をもち,その微分は電流の次元になる.

演習 2

オリジナル ★★☆☆☆

内半径 a,外半径 b の同じ環状極板2枚を,間隔 d で向かい合わせた真空コンデンサーがあります.面電荷は一様で,電場は環状部分だけで +z 向きと近似します.軸対称な外部回路を通して正極板の電荷が dQdt=−I0(I0>0)で減少しています.外部回路の帰線は考えるすべての円より外側にあり,円内の積分面を貫く伝導電流はありません.d/a,d/(b−a),max(b,r)/(cτ) は十分小さいとし,τ は変化の時間尺度,c=1/ε0μ0 とします.

  1. 極板間の平面で,軸を中心とする半径 r の円内の変位電流を,r<a,a<r<b,r>b に分けて求めよ.

  2. 同じ円周上の磁場の大きさと向きを求めよ.

環状極板の軸を含む断面と極板間の平面.内半径 a,外半径 b,間隔 d,半径 r の円を示す.電場は環状部分で +z 向き,正極板から外部回路へ電流 I₀ が流れる. 環状極板の軸を含む断面と極板間の平面.内半径 a,外半径 b,間隔 d,半径 r の円を示す.電場は環状部分で +z 向き,正極板から外部回路へ電流 I₀ が流れる.
解答を見る

考え方
電束の変化は,円内に含まれる環状面積に比例する.

  1. E=Q/[ε0π(b2−a2)] より ε0dEdt=−I0/[π(b2−a2)].含まれる面積を掛けると

Id={0r<a,−I0r2−a2b2−a2a<r<b,−I0r>b.
  1. 反時計回りを正とする接線成分を Bϕ とすると,対称性とアンペール・マクスウェルの法則から 2πrBϕ=μ0Id.したがって大きさは μ0|Id|/(2πr),向きは磁場が0でない所で +z 側から見て時計回りである.r=a,b で連続になる.指定した3つの比が十分小さいことが条件であり,縁では近似が破れうる.r>b の式も帰線より内側に限り,帰線を囲む円ではその伝導電流を加える必要がある.

演習 3

オリジナル ★★☆☆☆

端子間の漏れ抵抗をもつコンデンサーに,電圧を一定の速さ α=dVdt で変える電源をつなぎます.容量 C と漏れのコンダクタンス G は一定,漏れ電流は GV とします.V=12V での電源からの電流を測りました.各電流の不確かさは 0.05mA,電圧と変化率の不確かさは無視します.

α

−2.0×104Vs−1

0

2.0×104Vs−1

I

0.80mA

1.60mA

2.40mA

  1. 電荷保存から I と α の関係を導き,C と漏れ抵抗 1/G を求めよ.

  2. C の不確かさの最大幅を両端の測定から見積もれ.また,漏れを無視できるか述べよ.

電源に容量 C と漏れコンダクタンス G を並列につなぐ.端子電圧 V,電源からの流入電流 I,電圧変化率 α を示す.漏れは長方形の抵抗記号で示す. 電源に容量 C と漏れコンダクタンス G を並列につなぐ.端子電圧 V,電源からの流入電流 I,電圧変化率 α を示す.漏れは長方形の抵抗記号で示す.
解答を見る

考え方
蓄積と漏れを直線の傾きと切片から読む.

  1. Q=CV,dQdt=I−GV だから I=Cα+GV.両端の差より C=(2.40−0.80)×10−3/(4.0×104)=4.0×10−8F.中央の値から G=1.60×10−3/12,したがって 1/G=7.5×103Ω.

  2. 電流差の最大幅は 0.10mA なので δC=0.10×10−3/(4.0×104)=2.5×10−9F.増加時だけで C=I/α とすると 1.2×10−7F になってしまう.漏れを無視するには GV/|Cα| が十分小さいことであり,ここではその比が2なので満たさない.

演習 4

オリジナル ★★★☆☆

半径 a,単位長さ当たりの巻数 n の十分長い真空ソレノイドに,|t|<τ で I=I0[1+(t/τ)2] を流します.まず内部の場を一様な Bz=μ0nI と近似します.c=1/ε0μ0 とします.

  1. 内部の半径 r<a での誘導電場の接線成分 Eϕ と変位電流密度 jdϕ を求めよ.

  2. 軸方向の長方形の周回路から,この変位電流が要求する Bz(r)−Bz(0) を見積もれ.t=0 での一様場に対する相対的な補正と,近似の条件を求めよ.

ソレノイドの半径 a と軸 z,内部の半径 r の円周,軸方向の長方形の周回路を示す.周回路の向きや誘導電場,変位電流,磁場の補正は加えない. ソレノイドの半径 a と軸 z,内部の半径 r の円周,軸方向の長方形の周回路を示す.周回路の向きや誘導電場,変位電流,磁場の補正は加えない.
解答を見る

考え方
まず磁束の変化から電場を出し,それを変位電流として磁場へ戻す.

  1. 2πrEϕ=−πr2dBzdt より Eϕ=−μ0nI0rt/τ2.したがって jdϕ=ε0∂Eϕ∂t=−ε0μ0nI0r/τ2.

  2. 長方形の軸方向の長さを ℓ とすると ℓ[Bz(0)−Bz(r)]=μ0ℓ∫0rjdϕ(s)ds.積分して Bz(r)−Bz(0)=μ0nI0r2/(2c2τ2).t=0 の一様場 μ0nI0 に対する最大の相対補正は a2/(2c2τ2) である.これは補正の先頭項である.a/(cτ) が十分小さいときだけ,変位電流による補正を無視できる.

演習 5

オリジナル ★★★☆☆

真空領域の場の候補を E=αtxey,B=−αt2ez/2 とします.ex,ey,ez は右手系の単位ベクトル,α は定数(単位 Vm−2s−1)です.

  1. ガウスの2法則とファラデーの法則を微分形で確かめ,必要な電荷密度 ρ を求めよ.

  2. アンペール・マクスウェルの法則から伝導電流密度を求め,電荷保存を確かめよ.電荷も電流もない領域の場として採用できるか.

真空領域と右手系の座標軸 x,y,z.+x は右,+y は上,+z は紙面の手前を向く.本文で与えた場の式を添える. 真空領域と右手系の座標軸 x,y,z.+x は右,+y は上,+z は紙面の手前を向く.本文で与えた場の式を添える.
解答を見る

考え方
各法則に必要な電荷と電流を確かめる.

  1. ∇⋅E=∂∂y(αtx)=0 より ρ=0.一様な磁場なので ∇⋅B=0.また ∇×E=αtez=−∂B∂t で,ファラデーの法則を満たす.

  2. ∇×B=0=μ0j+μ0ε0∂E∂t より j=−ε0αxey.∇⋅j=0=−∂ρ∂t で電荷保存も満たすが,α≠0 なら一般の x で電流が必要である.したがって電流のない領域の場としては採用できない.ε0αx の単位は Am−2 となる.

ポイント 教える人へ

変位電流の正負を,電場の向きではなく電束の増減から説明させる.
漏れと蓄積を分け,測定直線の切片と傾きの意味を問う.
電荷保存と変位電流の関係を確認する.
準静的近似の条件を,場を一度戻して得る補正の比で説明させる.