全範囲の総合演習
電磁気の総合問題(1)
著者:柚木芹香
電場に
総合演習 37
電場に
温度
温度 T の密閉容器に中性分子 N 個を入れる.A,B の体積はそれぞれ 𝒱,3𝒱 で,破線の境界を分子が通過できる.A の面積 S の平行板は間隔 d,電圧 V 一定で,電場 E = V/d を青の矢印で示す.B の電場は 0 である.
内部
エネルギーと 相互作用 から,A の1分子の有効な 位置エネルギーを 求めよ.ボルツマン因子 を使い,密度比 と平均個数 を求め, が小さい ときの を示せ. A の
分子が 増すと,容量は 増します.電源の仕事と 容量の エネルギー増加を 求め,差を(1)と 照合せよ. 分子の
在否は 独立とします.個数の 標準偏差と,平均の 増加が 無電場の 標準偏差を 超す条件を 求めよ. , , , , , で検算せよ.
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考え方
希薄気体,線形分極を
平衡の
分極を 代入すると
電源から
来る 電荷は . .容量のエネルギー増加は .従って が移動へ 渡る 仕事である. とおくと,在否の分散は . 個を足して ,無電場では .求める条件は
値は
総合演習 38
薄板の
厚さ
抵抗率 ρ,厚さ h の薄板に,半径 a の円形電極を中心間距離 b で取り付ける.平面図に電流 I の流入と流出を示し,流入側の周囲に半径 r の破線円を描く.下の断面は厚さを拡大し,電極が厚さ全体で接触する様子を示す.各電極の接触抵抗は R_c である.
流入点近くの
電流密度を 求め,流入・流出の 電位を 重ね合わせよ.板の 抵抗を 主要項で 求めよ. とします.両端を直線化し, を決め,中間の2点と 照合せよ.測定誤差が 最大 なら, の相対誤差の 上限も 求めよ. の許容値を とします.電流の上限を 求めよ.接触抵抗0で 厚さを2倍に した 場合の 電極近くの を,電圧一定と電流 一定で 比べよ.
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考え方
板端と
半径
の円筒面を 通る 電流から ,従って , . を積分すると 電位は 対数に なる.流入電極 A,流出電極 B からの 距離を とすれば
A 表面で
に対し , , .端点から
切片は
電極の
すぐ 外の 電流密度は 主要項で .従って
接触抵抗0,電圧
総合演習 39
回転電場で
磁場
を
xy 平面の原点で静止する電荷 q > 0,質量 m のイオンと,半径 R の回収円周を示す.緑の ⊙ は +z 方向の一様磁場 B を表す.青の直線矢印は時刻 0 の電場 E_0 e_x,青の円弧矢印は角振動数 ω の時計回りの電場回転を表す.電極は模式的に描く.
ローレンツ力で
の微分方 程式を 作り, で解け. の速度と,速さが 増す理由も 求めよ. と定義します. とその 大きさの 上限を 求めよ.共鳴での 到達時間の 主要項と,非共鳴で 回収されない 十分条件を 求めよ. ,質量 の2種を同時に 入れ,軽い方に 共鳴させます. , , , , で到達時間と 重い方の 距離上限を 求めよ.選別可能な の上限も 求めよ. , として,軽いイオンの 回収時の 波長と の比を 見積もり,軌道と 非相対論の 近似を 確かめよ.
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考え方
一様場で
, . とおけば
より .積分して
右辺が
, .従って ,重い方の距離上限の 計算値は で,有効数字2桁では .丸め前の上限も 未満である.十分条件から
弱電場ほど
回収時の
速さは . , で,波長は小さい.さらに , で両近似は 整合する.初期の 広がりも より小さく,衝突間の 平均自由時間は より十分長いことが 要る.
総合演習 40
短絡で
直列回路は
一次は抵抗 R_1,コイル L_1,可変容量 C,交流電圧源 V(t) = V_0 cos ωt の直列回路である.二次はコイル L_2 と抵抗 R_2 の閉回路で,相互インダクタンスは M > 0 である.巻き方向の対応をコイル端子の黒丸で示し,両コイルの黒丸端子へ流れ込む向きを電流の正方向として矢印で示す.
複素電流の
連立式と,入力の を求めよ.二次の 発熱を 一次の 実効抵抗 で表せ. 共振を
と定義します. の共振角振動数を 求め,比べよ. , , , , を保ち, を変える たびに を共振へ調整します.受電電力最大の 負荷と 容量を すべて 求めよ. 二次電力を
電源の 平均電力で 割った 値を 効率とします.効率最大の 負荷,効率,二次の 電力を 求め,電力最大の 条件と 比較せよ.
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考え方
複素振幅と
インピーダンス
, を用いると
二次から
二次の
短絡極限では
誘導項が となる.従って
共振では
が実数で,
最大は
解は
効率は
で, とともに増す.最大は , ,従って .このとき , .効率は高いが,電力は 減る.結合を0に すると となる.集中定数近似には 装置寸法 に対し が必要で,調整後は 過渡現象の 減衰を 待つ.