問いしるべ
参考書

問いから始める物理

公式参考書

問いから始める物理

問いから原理へ,基本からオリンピックまで

著者:柚木芹香

身近な問いから始めて物理の原理を組み立て直す参考書.微積分は必要になった所で導入し,各節の演習は基本から物理オリンピックの水準まで段階をつけて置く.独学でも,教わりながらでも読めるように,各節の終わりに「教える人へ」の囲みがある.

この章の目次 · 9節
  1. 変位電流とマクスウェル方程式
  2. 積分形と微分形を行き来する
  3. 変位電流とマクスウェル方程式の演習
  4. 場のエネルギーとその流れ
  5. 外積とエネルギーの流れの計算
  6. 場のエネルギーとその流れの演習
  7. 第24章の章末問題
  8. 第24章の発展問題
  9. 第24章のまとめ

第24章  マクスウェル方程式

01変位電流とマクスウェル方程式

問い

電池と抵抗をつないで,平行板コンデンサーを充電します.導線には電流が流れ,そのまわりには第22章で調べたとおり円を描く磁場ができます.ところが,2枚の極板の間はすき間で,電流は流れていません.では,充電している間,極板のすき間のまわりにも磁場はできるのでしょうか.それとも,導線の所にだけ磁場があって,すき間の所では途切れるのでしょうか.

この章は電磁気の分野(第20章から第24章)のまとめです.第20章の初めに,電荷は場を作り,場は電荷に力を及ぼす,そして電場と磁場の法則は全部で4つにまとまる,という見取り図を示しました.第20章から第23章で,その4つを静電気,電流と磁場,電磁誘導の順に1つずつ確かめてきました.この題材では,その中で1つだけ足りなかった項(変位電流)を足し,4つの法則を積分形と微分形で並べます.次の題材「場のエネルギーとその流れ」では,場がエネルギーを持ち,そのエネルギーが空間を流れることを見ます.ここで完成した法則から,第25章で波の性質を調べたあと,第26章で電磁波を導きます.第20章から第23章で(発展)の微分形を飛ばした人は,この章でも表の微分形の列と,それを使う式変形(電荷の保存,真空の渦の式,ポインティングの定理の導き方)は結果だけを認め,積分形で先へ進んでかまいません.「(発展)」と付けた同軸ケーブルと場の運動量の節も飛ばせます.

ポイント 第24章で使う記号

記号

意味

ΦE

電束(面を貫く電場の流束).磁束は Φ

Id=ε0dΦE/dt

変位電流(単位 A)

j, jd=ε0∂E/∂t

電流密度,変位電流密度(単位 Am−2)

ρ

電荷密度.この章では抵抗率に使わない

γ

導電率(j=γE,抵抗率の逆数)

u=uE+uB

場のエネルギー密度(単位 Jm−3)

UE, UB

ある領域の電場と磁場のエネルギー

S

ポインティングベクトル(単位 Wm−2).この章では面積に S を使わず A を使う

dA, dl, dV

面要素(大きさは面積,向きは面の法線),線要素,体積要素

ex, ey, ez

右手系の直交座標の単位ベクトル

er, eϕ, ez

円筒座標の単位ベクトル.r は軸からの距離,ϕ は +z 側から見て反時計回りが正.成分は Ez, Bϕ, Sr のように書く

c=1/ε0μ0

光の速さ

g

場の運動量密度(発展)

閉じた道に沿って一周する積分の記号は使わず,∫B⋅dl と書いて「閉じた道に沿って一周」と言葉で断ります.閉じた面全体の積分も同じです.球対称な場では er は中心から外向きの単位ベクトルです.

考えてみる

第22章のアンペールの法則は,閉じた道に沿って一周した磁場の線積分が,その道を縁とする面を貫く電流の μ0 倍になる,というものでした.

∫B⋅dl=μ0I

充電中の導線を囲む円を道に選び,面としてその円を張る平らな円板をとれば,導線が貫くので右辺は μ0I です.ところが,同じ円を縁にしたまま,面を袋のようにふくらませて極板のすき間を通すと,面を貫く電流はありません.右辺は0です.左辺は道だけで決まる量なので,面の選び方で答えが変わるのは矛盾です.

充電中のコンデンサーの下の導線を囲む同じ円を,平らな面A₁と袋の形の面A₂の縁にとる.A₁は導線が貫き,A₂は正極板の外を回り込んで極板のすき間を通る. 充電中のコンデンサーの下の導線を囲む同じ円を,平らな面A₁と袋の形の面A₂の縁にとる.A₁は導線が貫き,A₂は正極板の外を回り込んで極板のすき間を通る.

電流が一定で,どこにも電荷がたまらない場合は,この矛盾は起きません.2つの面を合わせた閉じた面に入る電流と出る電流が等しいので,どちらの面を貫く電流も同じだからです.困るのは,極板に電荷がたまっていく所です.アンペールの法則は,定常電流についてしか確かめられていなかったのです.

変位電流

すき間には電流はありませんが,電場があり,それが増えていきます.極板の面積を A,正極板の電荷を Q とすると,ガウスの法則から極板の間の電束は ΦE=Q/ε0 です.充電電流は I=dQ/dt なので

ε0dΦEdt=dQdt=I

です.導線を貫く平らな面では電流が I で電束は変わらず,すき間を通る袋の面では電流が0で ε0dΦE/dt が I です.電流と ε0dΦE/dt の和は,どちらの面でも同じです.

これはこのコンデンサーに限りません.同じ道を縁とする2つの面で閉じた面を作ると,電荷の保存から,閉じた面から出ていく電流は中の電荷の減る速さに等しく,ガウスの法則から,閉じた面から出る電束は中の電荷の 1/ε0 倍です.2つを合わせると,閉じた面から出ていく電流と ε0dΦE/dt の和はいつも0です.つまり,電流と ε0dΦE/dt の和は,面の選び方によらず,縁の道だけで決まります.

定義 変位電流

面を貫く電束 ΦE の変化から作った量

Id=ε0dΦEdt

を変位電流という.各点での密度は jd=ε0∂E/∂t で,電流と同じ単位 A(密度は Am−2)をもつ.

変位電流は電荷の流れではありません.名前は歴史的なもので,磁場を作る点だけが電流と同じです.マクスウェルは,アンペールの法則の右辺に変位電流を足しました.

法則 アンペール・マクスウェルの法則

閉じた道に沿って一周した磁場の線積分は,その道を縁とする面を貫く電流 I と変位電流 Id の和の μ0 倍に等しい.

∫B⋅dl=μ0(I+ε0dΦEdt)

面の向きと道を回る向きは右ねじの関係にとる.

円板の極板(半径 a)の間で,軸を中心とする半径 r の円を道にとると,極板の間の電場は一様なので,円を貫く電束は全体の r2/a2 です.軸対称性から磁場は円に沿う向きで大きさが一定なので,r が a より小さい所では B=μ0Ir/(2πa2),a より大きい所では B=μ0I/(2πr) となります(数学の節の例題1).極板の外側の円では,導線のまわりと同じ磁場です.

[図:充電中のコンデンサーの半径と磁場]

初期状態はr = 0.50aで,円を貫く電束は全体の25 %である.上に極板の側面図,下に極板の間の平面図,右にBとrのグラフを示す.スライダーでrを変えると,数える電束の面とグラフ上の点が動く.r = aで直線の増加から1/rの減少につながる.

4つの法則

これで電場と磁場の法則がそろいました.積分形の Φ,ΦE,I は,閉じた道を縁とする止まった面についての量です.微分形は,ガウスの定理とストークスの定理で積分形を各点の式に直したもので,両者は同じことを言っています(数学の節).

法則 マクスウェル方程式

法則

積分形

微分形

ガウスの法則(第20章)

閉じた面で ∫E⋅dA=Qinε0

∇⋅E=ρε0

磁場のガウスの法則(第22章)

閉じた面で ∫B⋅dA=0

∇⋅B=0

ファラデーの法則(第23章)

閉じた道で ∫E⋅dl=−dΦdt

∇×E=−∂B∂t

アンペール・マクスウェルの法則(第22章とこの節)

閉じた道で ∫B⋅dl=μ0I+μ0ε0dΦEdt

∇×B=μ0j+μ0ε0∂E∂t

場が電荷に及ぼす力はローレンツ力 F=q(E+v×B)(第22章)である.

表は,第20章の見取り図で言葉で書いた4つの法則を,同じ順に式で書いたものです.1行目と2行目は場の湧き出し(電場には電荷という湧き出しがあり,磁場にはない),3行目と4行目は場の渦(電場の渦は磁場の変化が,磁場の渦は電流と電場の変化が作る)を述べています.回路が動く場合は,起電力を電荷に働く力(ローレンツ力)の一周の積分ととれば,運動起電力(第23章)も含めて磁束の法則 E=−dΦ/dt が成り立ちます.

電荷の保存は,この4つから導けます.アンペール・マクスウェルの法則の微分形の発散をとると,左辺は ∇⋅∇×B=0(どんな場でも0,第22章と数学の節)なので,∇⋅j+ε0∂/∂t(∇⋅E)=0 です.ガウスの法則を入れると

∂ρ∂t+∇⋅j=0

で,第21章の連続の式になります.変位電流の項が無いと ∇⋅j=0 がいつも要求され,電荷がたまることが許されません.第22章の数学の節で,元のアンペールの法則は定常電流に限られると注意したのはこのためです.変位電流は,電荷の保存と両立させるために必要な項なのです.

場は自分で伝わる

電荷も電流も無い真空では,渦の2つの式は

∇×E=−∂B∂t,∇×B=1c2∂E∂t,c=1ε0μ0

となり,ほとんど対称な形になります.変化する磁場がまわりに電場を作り,変化する電場がまわりに磁場を作ります.すると,いったん場の変化が起これば,電荷から離れたところでも,場が互いを作り合いながら進んでいけるはずです.ε0=8.85×10−12Fm−1,μ0=1.26×10−6Hm−1 から 1/ε0μ0=3.00×108ms−1 で,光の速さと一致します.電荷の間の力と電流の間の力という静的な測定だけから,光の速さが出てくるのです.これが第26章の電磁波です.

空間に並ぶ電場Eはx方向,磁場Bはそれに垂直なy方向を向く.2つの場の山と谷は同じ位置にある.場の変化が互いに結び付くことを,2本の矢印でつないだ輪で示す.場の矢印の長さは,それぞれ任意の尺度である. 空間に並ぶ電場Eはx方向,磁場Bはそれに垂直なy方向を向く.2つの場の山と谷は同じ位置にある.場の変化が互いに結び付くことを,2本の矢印でつないだ輪で示す.場の矢印の長さは,それぞれ任意の尺度である.

準静的近似

第21章から第23章の回路では,各瞬間の電荷と電流から静的な場の式で場を求めました.これを準静的近似といいます.大きさ L の装置で,場が時間 τ 程度で変わるとします.磁場 B の変化がファラデーの法則で作る電場は E∼LB/τ 程度で,その電場の変化の変位電流が作る磁場は μ0ε0LE/τ∼L2B/(cτ)2 程度です.磁場の補正の割合は (L/(cτ))2 で,L/(cτ) が十分小さい,つまり光が装置を横切る時間が変化の時間よりずっと短ければ,補正を無視できます.50Hz の交流では cτ=c/ω≈950km で,部屋の中の回路はまったく問題ありません.1GHz では cτ≈5cm で,手のひらほどの回路でも近似が破れ,回路は電磁波を出します.

準静的近似は,変位電流をすべて捨てることではありません.コンデンサーの極板の間の変位電流は導線の電流の続きで,小さくありません.捨てるのは,場の変化が作った場がさらに場を作る,という連鎖の2段目です.金属の中では,角振動数 ω の変化に対して変位電流と伝導電流の比は ωε0/γ で,銅(γ=6×107Sm−1)なら 1GHz でも 10−9 程度です.導体の中の変位電流はふつう無視できます.

問いに戻る

充電している間,極板のすき間のまわりにも磁場はできます.すき間では電流は流れていませんが,電場が増えていて,その変位電流 ε0dΦE/dt は導線の電流 I にちょうど等しいからです.極板より外側の円では,磁場は導線のまわりと同じ μ0I/(2πr) で,すき間の所で途切れることはありません.

ポイント ここまでのまとめ

  • アンペールの法則は,電荷がたまる所では面の選び方で答えが変わり,矛盾する.

  • 変位電流 Id=ε0dΦE/dt を足したアンペール・マクスウェルの法則で,矛盾が消え,電荷の保存とも両立する.

  • マクスウェル方程式は,場の湧き出し(ガウスの2つの法則)と渦(ファラデー,アンペール・マクスウェル)の4つで,積分形と微分形は同じことを言う.

  • 真空では変化する電場と磁場が互いを作り,場は速さ c=1/ε0μ0 で自分で伝わる.

  • 準静的近似は,装置の大きさ L が cτ よりずっと小さいときに使え,補正の割合は (L/(cτ))2 程度.

02積分形と微分形を行き来する

本体の節では,マクスウェル方程式を積分形と微分形の2通りで並べました.ここでは,面積分と線積分の向きの約束を確かめ,第20章のガウスの定理とストークスの定理で2つの形を行き来します.あわせて,電荷の保存を導くのに使った ∇⋅∇×F=0 と,∇×∇⁡f=0 をまとめます.

定理 数学の道具:流束と循環

ベクトル場 F の面を通る流束は ∫F⋅dA,閉じた道に沿った循環は,道に沿って一周した ∫F⋅dl である.dA は大きさが小さな面の面積で向きが面の法線のベクトルで,閉じた面では外向き,縁のある面では,縁を回る向きに右ねじを回したときに進む向きにとる.

  • F が面に垂直で一様なら,流束は(法線成分)×(面積).

  • 半径 r の円に沿って Fϕ が一定なら,循環は 2πrFϕ.

  • 止まった面では d/dt∫E⋅dA=∫∂E/∂t⋅dA.

定理 数学の道具:ガウスの定理とストークスの定理(第20章)

領域 V を囲む閉じた面について,また,閉じた道 C を縁とする面 Σ について

∫F⋅dA=∫V∇⋅FdV,∫CF⋅dl=∫Σ(∇×F)⋅dA

が成り立つ.左の式の左辺は閉じた面全体の積分,右の式の左辺は C に沿って一周する積分である.

積分形から微分形へは次のように直します.アンペール・マクスウェルの法則の左辺をストークスの定理で面積分に直し,右辺の電流と電束も同じ面 Σ の積分で書くと

∫Σ(∇×B)⋅dA=∫Σ(μ0j+μ0ε0∂E∂t)⋅dA

です.これがどんなに小さな面でも,どの向きの面でも成り立つので,被積分関数どうしが各点で等しく,∇×B=μ0j+μ0ε0∂E/∂t となります.ガウスの法則も,両辺を体積積分で書いて,どんな小さな領域でも等しいことから ∇⋅E=ρ/ε0 です.逆に,微分形を面や領域で積分して定理を使えば,積分形に戻ります.問題を解くときは,対称性がある場合に積分形が掛け算で済み,便利です.微分形は,各点で何が起きているかを述べ,法則どうしを組み合わせるのに向いています.

定理 数学の道具:∇⋅∇×F=0 と ∇×∇⁡f=0(第20章・第22章)

どんなベクトル場 F と関数 f についても

∇⋅(∇×F)=0,∇×(∇⁡f)=0

が成り立つ.

どちらも成分で書けば,偏微分の順序を入れ替えてよいので項が2つずつ打ち消し合って0になります(第20章と第22章の数学の節).定理で見ると意味が分かります.閉じた面には縁が無いので,ストークスの定理から ∇×F の閉じた面全体の流束は0で,ガウスの定理からその発散も0です.勾配の循環は端点だけで決まり(第20章),閉じた道では0なので,回転も0です.前者を使うと,本体の節のように電荷の保存が導けます.同じように,ファラデーの法則の発散をとると ∂/∂t(∇⋅B)=0 で,ある時刻に ∇⋅B=0 なら,それはずっと保たれます.

練習1 k を定数として,電場 E=k(xex+yey) の発散と回転を求め,この電場を作る電荷密度を答えよ.

練習2 b を定数として,磁場 B=b(−yex+xey) の回転を求めよ.この磁場を円筒座標の成分で表せ.電流の無い所で,この磁場が変位電流だけで作られているなら,∂E/∂t はいくらか.

答え 練習1:∇⋅E=2k,∇×E=0.電荷密度は ρ=ε0∇⋅E=2ε0k で,一様である.練習2:x,y 成分は0で,z 成分は ∂/∂x(bx)−∂/∂y(−by)=2b なので ∇×B=2bez.−yex+xey=reϕ なので Bϕ=br で,軸のまわりを回り,軸から離れるほど強い.∇×B=μ0ε0∂E/∂t から ∂E/∂t=2bc2ez.積分形でも,半径 r の円で 2πr⋅br=μ0ε0πr2∂Ez/∂t となり一致する.

例題

例題 1

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a=5.0cm の2枚の円板を間隔 d=2.0mm で向かい合わせた真空のコンデンサーを,一定の電流 I=0.50A で充電する.正極板から負極板へ向かう向きを +z とし,縁の効果は無視する.ε0=8.85×10−12Fm−1,μ0=4π×10−7Hm−1 とする.

  1. 極板の間の電場が増える速さ dEz/dt を求めよ.

  2. 極板の間の平面で,軸からの距離 r の点の磁場 Bϕ を,r<a と r>a に分けて求めよ.r=a での値も求めよ.

  3. r<a の磁場が,微分形のアンペール・マクスウェルの法則を満たすことを確かめよ.

半径a,間隔dの円板コンデンサーを充電する.正極板から負極板へ向かう向きを+zとする.極板の間に半径rの円形の道と,その円に沿う磁場Bφを示す.電場と磁場の計算結果は記していない. 半径a,間隔dの円板コンデンサーを充電する.正極板から負極板へ向かう向きを+zとする.極板の間に半径rの円形の道と,その円に沿う磁場Bφを示す.電場と磁場の計算結果は記していない.
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考え方 極板の間の電場は一様で Ez=Q/(ε0πa2).半径 r の円を道にとり,円を張る平らな円板を面にすると,電流は貫かず,変位電流だけが貫く.軸対称性から Bϕ は円の上で一定.

  1. dQ/dt=I より

dEzdt=Iε0πa2=0.508.85×10−12×π×(5.0×10−2)2≈7.2×1012Vm−1s−1
  1. r<a では円を貫く変位電流は ε0πr2dEz/dt=Ir2/a2 なので,2πrBϕ=μ0Ir2/a2 より

Bϕ=μ0Ir2πa2

r>a では電場は極板の間だけにあるので変位電流は I 全体で,Bϕ=μ0I/(2πr).r=a では

Bϕ=μ0I2πa=2.0×10−7×0.505.0×10−2=2.0×10−6T

で,2つの式はつながる.向きは +z 側から見て反時計回り.

  1. reϕ=−yex+xey なので,r<a の磁場は練習2で b=μ0I/(2πa2) としたものである.よって ∇×B=2bez=μ0Iπa2ez.一方,電流の無い極板の間で右辺は μ0ε0∂E/∂t=μ0ε0Iε0πa2ez=μ0Iπa2ez で,一致する.

確かめ:r=a の磁場は地磁気(5×10−5T 程度)の 1/25 ほどで,小さいが測れる.I が一定なら磁場は時間変化しないので,ファラデーの法則による電場の補正も生じない.縁の効果を無視するには d/a が十分小さい(ここでは 0.04)ことが要る.

例題 2

オリジナル ★★★☆☆

小さな放射性の球が,正の電荷をもつ粒子をすべての向きに同じように放出し,まわりの真空へ電荷が球対称に広がっていく.外部からの電磁場はないものとする.時刻 t に,中心からの距離 r の球面の内側にある電荷を Q(r,t) とする.

  1. この球面を外向きに通る電流 I(r,t) を Q で表せ.

  2. 球面上の電場と,球面を外向きに通る変位電流 Id を求めよ.

  3. 電流が流れているのに,どこにも磁場ができないことを示せ.

中心の小さな球から正の電荷をもつ粒子がすべての向きへ放出される.半径rの球面と外向きの電流I(r,t),球面上の小さな円の道,その円を縁とする球面の一部を示す. 中心の小さな球から正の電荷をもつ粒子がすべての向きへ放出される.半径rの球面と外向きの電流I(r,t),球面上の小さな円の道,その円を縁とする球面の一部を示す.
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考え方 球対称なので,電場も電流密度も半径方向で,大きさは r と t だけで決まる.電場は Q の符号により外向きにも内向きにもなる.磁場の向きを対称性から絞り,電流と変位電流の和を調べる.

  1. 電荷の保存から,球面から出ていく電流は内側の電荷の減る速さに等しく,I=−∂Q/∂t.

  2. ガウスの法則から E=Q4πε0r2er.外向きの電束は ΦE=Q/ε0 なので Id=ε0∂ΦE/∂t=∂Q/∂t=−I.各点でも,電流密度 j=I4πr2er と変位電流密度 ε0∂E/∂t=14πr2∂Q∂ter は打ち消し合い,j+ε0∂E/∂t=0 である.

  3. 球面上の点で磁場が球面に沿う成分をもつとすると,その点を通る半径の線のまわりに配置を回しても何も変わらないのに,その成分の向きだけが回ってしまう.よって磁場は半径方向しか許されない.半径成分を Br(r,t) とすると,磁場のガウスの法則から 4πr2Br=0 で Br=0.したがって磁場は0である.アンペール・マクスウェルの法則とも整合する.球面上の小さな円を道にとり,それを縁とする球面の一部を面にとると,貫く電流と変位電流の和は0なので,循環は0である.

確かめ:変位電流の項が無いと,球面上の円の循環が μ0 倍の電流の分だけ0でないことになり,(3) の対称性の議論と矛盾する.この例は,変位電流が無ければ法則そのものが矛盾することを示している.

例題 3

オリジナル ★★★☆☆

電荷も電流も無い真空で,E0,B0,k,ω を正の定数として,次の場を考える.

E=E0cos⁡(kz−ωt)ex,B=B0cos⁡(kz−ωt)ey
  1. 2つのガウスの法則を満たすことを確かめよ.

  2. ファラデーの法則とアンペール・マクスウェルの法則の微分形から,B0 と E0 の関係,ω と k の関係を求めよ.

  3. この場の山が進む向きと速さを求めよ.

ある瞬間の電場Exと磁場Byをz軸に沿って描く.電場はx方向,磁場はy方向に振れ,山と谷は同じ位置にそろう.矢印の長さは場ごとに任意の尺度である.進行方向,速さ,E₀とB₀の関係は図には記さない. ある瞬間の電場Exと磁場Byをz軸に沿って描く.電場はx方向,磁場はy方向に振れ,山と谷は同じ位置にそろう.矢印の長さは場ごとに任意の尺度である.進行方向,速さ,E₀とB₀の関係は図には記さない.
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考え方 成分が1つで,z と t だけの関数なので,回転のうち残るのは z で微分する項だけである.

  1. Ex は x によらないので ∇⋅E=∂Ex/∂x=0.同じく ∇⋅B=∂By/∂y=0.電荷の無い真空のガウスの法則を満たす.

  2. ∇×E=∂Ex∂zey=−kE0sin⁡(kz−ωt)ey,−∂B∂t=−ωB0sin⁡(kz−ωt)ey.ファラデーの法則から kE0=ωB0.また ∇×B=−∂By∂zex=kB0sin⁡(kz−ωt)ex,1c2∂E∂t=ωE0c2sin⁡(kz−ωt)ex なので kB0=ωE0/c2.2式を掛けると k2E0B0=ω2E0B0/c2 で

ωk=c,B0=kωE0=E0c
  1. kz−ωt が一定の点は z=(ω/k)t+一定 と動くので,山は +z 向きに速さ ω/k=c で進む.

確かめ:単位は E0/c が Vm−1/(ms−1)=Vsm−2=T で合う.電荷も電流も無いのに場が光の速さで進むことは,本体の節の「場は自分で伝わる」の具体例で,第26章で詳しく扱う.近似は使っていない.

ポイント ここまでのまとめ

  • 流束と循環の向きは,閉じた面では外向き,縁のある面では縁と右ねじの関係にとる.

  • ガウスの定理とストークスの定理で,積分形の法則と微分形の法則は互いに直せる.

  • ∇⋅∇×F=0,∇×∇⁡f=0 は成分の計算でも,定理でも示せる.前者から電荷の保存が出る.

  • 充電中の円板コンデンサーの極板の間では Bϕ=μ0Ir/(2πa2)(r<a)で,外側では導線のまわりと同じ.

  • 球対称な電流では,電流と変位電流が打ち消し,磁場はできない.

03変位電流とマクスウェル方程式の演習

面と閉じた道の向きをそろえ,伝導電流と変位電流を符号つきで足してください.準静的として扱える条件も確かめましょう.

演習 1

オリジナル ★☆☆☆☆

真空中の固定した面を貫く電束が, ΦE=Φ0+At2 と変化します.面の法線は +z 向き,A=2.0×105Vms−2,ε0=8.9×10−12Fm−1 とします.

  1. t=3.0×10−3s での変位電流を求めよ.

  2. 同じ面を −z 向きに 6.0×10−9A の伝導電流が貫くとき,縁を一周する磁場の線積分の符号を求めよ.正方向は +z 側から見て反時計回りとする.

解答を見る

考え方
電束の時間変化率を使い,法線に逆らう電流を負とする.

  1. Id=ε0dΦEdt=2ε0At だから,Id=1.1×10−8A.

  2. 閉じた縁に沿って一周する積分は ∫B⋅dl=μ0(I+Id) である.和は正なので積分は正.磁場の向きには対称性も要る.ε0ΦE は電荷の次元をもち,その微分は電流の次元になる.

演習 2

オリジナル ★★☆☆☆

内半径 a,外半径 b の同じ環状極板2枚を,間隔 d で向かい合わせた真空コンデンサーがあります.面電荷は一様で,電場は環状部分だけで +z 向きと近似します.軸対称な外部回路を通して正極板の電荷が dQdt=−I0(I0>0)で減少しています.外部回路の帰線は考えるすべての円より外側にあり,円内の積分面を貫く伝導電流はありません.d/a,d/(b−a),max(b,r)/(cτ) は十分小さいとし,τ は変化の時間尺度,c=1/ε0μ0 とします.

  1. 極板間の平面で,軸を中心とする半径 r の円内の変位電流を,r<a,a<r<b,r>b に分けて求めよ.

  2. 同じ円周上の磁場の大きさと向きを求めよ.

環状極板の軸を含む断面と極板間の平面.内半径 a,外半径 b,間隔 d,半径 r の円を示す.電場は環状部分で +z 向き,正極板から外部回路へ電流 I₀ が流れる. 環状極板の軸を含む断面と極板間の平面.内半径 a,外半径 b,間隔 d,半径 r の円を示す.電場は環状部分で +z 向き,正極板から外部回路へ電流 I₀ が流れる.
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考え方
電束の変化は,円内に含まれる環状面積に比例する.

  1. E=Q/[ε0π(b2−a2)] より ε0dEdt=−I0/[π(b2−a2)].含まれる面積を掛けると

Id={0r<a,−I0r2−a2b2−a2a<r<b,−I0r>b.
  1. 反時計回りを正とする接線成分を Bϕ とすると,対称性とアンペール・マクスウェルの法則から 2πrBϕ=μ0Id.したがって大きさは μ0|Id|/(2πr),向きは磁場が0でない所で +z 側から見て時計回りである.r=a,b で連続になる.指定した3つの比が十分小さいことが条件であり,縁では近似が破れうる.r>b の式も帰線より内側に限り,帰線を囲む円ではその伝導電流を加える必要がある.

演習 3

オリジナル ★★☆☆☆

端子間の漏れ抵抗をもつコンデンサーに,電圧を一定の速さ α=dVdt で変える電源をつなぎます.容量 C と漏れのコンダクタンス G は一定,漏れ電流は GV とします.V=12V での電源からの電流を測りました.各電流の不確かさは 0.05mA,電圧と変化率の不確かさは無視します.

α

−2.0×104Vs−1

0

2.0×104Vs−1

I

0.80mA

1.60mA

2.40mA

  1. 電荷保存から I と α の関係を導き,C と漏れ抵抗 1/G を求めよ.

  2. C の不確かさの最大幅を両端の測定から見積もれ.また,漏れを無視できるか述べよ.

電源に容量 C と漏れコンダクタンス G を並列につなぐ.端子電圧 V,電源からの流入電流 I,電圧変化率 α を示す.漏れは長方形の抵抗記号で示す. 電源に容量 C と漏れコンダクタンス G を並列につなぐ.端子電圧 V,電源からの流入電流 I,電圧変化率 α を示す.漏れは長方形の抵抗記号で示す.
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考え方
蓄積と漏れを直線の傾きと切片から読む.

  1. Q=CV,dQdt=I−GV だから I=Cα+GV.両端の差より C=(2.40−0.80)×10−3/(4.0×104)=4.0×10−8F.中央の値から G=1.60×10−3/12,したがって 1/G=7.5×103Ω.

  2. 電流差の最大幅は 0.10mA なので δC=0.10×10−3/(4.0×104)=2.5×10−9F.増加時だけで C=I/α とすると 1.2×10−7F になってしまう.漏れを無視するには GV/|Cα| が十分小さいことであり,ここではその比が2なので満たさない.

演習 4

オリジナル ★★★☆☆

半径 a,単位長さ当たりの巻数 n の十分長い真空ソレノイドに,|t|<τ で I=I0[1+(t/τ)2] を流します.まず内部の場を一様な Bz=μ0nI と近似します.c=1/ε0μ0 とします.

  1. 内部の半径 r<a での誘導電場の接線成分 Eϕ と変位電流密度 jdϕ を求めよ.

  2. 軸方向の長方形の周回路から,この変位電流が要求する Bz(r)−Bz(0) を見積もれ.t=0 での一様場に対する相対的な補正と,近似の条件を求めよ.

ソレノイドの半径 a と軸 z,内部の半径 r の円周,軸方向の長方形の周回路を示す.周回路の向きや誘導電場,変位電流,磁場の補正は加えない. ソレノイドの半径 a と軸 z,内部の半径 r の円周,軸方向の長方形の周回路を示す.周回路の向きや誘導電場,変位電流,磁場の補正は加えない.
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考え方
まず磁束の変化から電場を出し,それを変位電流として磁場へ戻す.

  1. 2πrEϕ=−πr2dBzdt より Eϕ=−μ0nI0rt/τ2.したがって jdϕ=ε0∂Eϕ∂t=−ε0μ0nI0r/τ2.

  2. 長方形の軸方向の長さを ℓ とすると ℓ[Bz(0)−Bz(r)]=μ0ℓ∫0rjdϕ(s)ds.積分して Bz(r)−Bz(0)=μ0nI0r2/(2c2τ2).t=0 の一様場 μ0nI0 に対する最大の相対補正は a2/(2c2τ2) である.これは補正の先頭項である.a/(cτ) が十分小さいときだけ,変位電流による補正を無視できる.

演習 5

オリジナル ★★★☆☆

真空領域の場の候補を E=αtxey,B=−αt2ez/2 とします.ex,ey,ez は右手系の単位ベクトル,α は定数(単位 Vm−2s−1)です.

  1. ガウスの2法則とファラデーの法則を微分形で確かめ,必要な電荷密度 ρ を求めよ.

  2. アンペール・マクスウェルの法則から伝導電流密度を求め,電荷保存を確かめよ.電荷も電流もない領域の場として採用できるか.

真空領域と右手系の座標軸 x,y,z.+x は右,+y は上,+z は紙面の手前を向く.本文で与えた場の式を添える. 真空領域と右手系の座標軸 x,y,z.+x は右,+y は上,+z は紙面の手前を向く.本文で与えた場の式を添える.
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考え方
各法則に必要な電荷と電流を確かめる.

  1. ∇⋅E=∂∂y(αtx)=0 より ρ=0.一様な磁場なので ∇⋅B=0.また ∇×E=αtez=−∂B∂t で,ファラデーの法則を満たす.

  2. ∇×B=0=μ0j+μ0ε0∂E∂t より j=−ε0αxey.∇⋅j=0=−∂ρ∂t で電荷保存も満たすが,α≠0 なら一般の x で電流が必要である.したがって電流のない領域の場としては採用できない.ε0αx の単位は Am−2 となる.

ポイント 教える人へ

変位電流の正負を,電場の向きではなく電束の増減から説明させる.
漏れと蓄積を分け,測定直線の切片と傾きの意味を問う.
電荷保存と変位電流の関係を確認する.
準静的近似の条件を,場を一度戻して得る補正の比で説明させる.

04場のエネルギーとその流れ

問い

電池に電熱線をつなぐと,電熱線は熱くなります.電熱線で熱になったエネルギーは,もとは電池にあったはずです.そのエネルギーは,電池から電熱線まで,導線の中を通って届くのでしょうか.届くとしたら,導線の中の何が運んでいるのでしょうか.

考えてみる

水車を回す水のように,導線の中の電子がエネルギーを運ぶと考えたくなります.けれども,第21章で見たように,導線の中の電子は1秒に 0.1mm ほどしか進みません.しかも電子は回路を一周して電池に戻ってくるので,行きの導線で運んだ分を帰りの導線で持ち帰ることになります.交流では電子はその場で行ったり来たりするだけなのに,エネルギーは発電所から家庭へ一方向に届きます.電子がエネルギーを運ぶ,という描像はうまくいきません.

ここで,第21章の電荷の保存を思い出します.ある所で電荷が減れば,その分は必ずまわりの面を通って流れ出ていて,離れた所で消えて別の所に現れることはありません.エネルギーも同じように「その場で」保存すると考えるなら,エネルギーがどこにどれだけあるか(密度)と,どこをどれだけ流れるか(流れ)を,場で表す必要があります.

場のエネルギー密度

第20章で,平行板コンデンサー(極板の面積 A,間隔 d)に蓄えられるエネルギーを,極板の間の体積 Ad あたりに直すと 12ε0E2 になることを見ました.第23章では,ソレノイドのエネルギー 12LI2 を内部の体積あたりに直すと B22μ0 でした.どちらも,エネルギーが導体や電荷にではなく,場のある空間に蓄えられていると見ることができます.

法則 場のエネルギー密度

真空中の電場 E と磁場 B は,単位体積あたり

u=uE+uB=12ε0E2+B22μ0

のエネルギーをもつ.

大きさを比べます.空気が絶縁を保てる上限に近い E=1×106Vm−1 でも uE≈4Jm−3 ですが,実験室で作れる B=1T なら uB≈4×105Jm−3 です.2つが等しくなるのは B=E/c のときで,電磁波ではちょうどこの関係になります(第26章).

エネルギーの保存を場で書く

ある領域 V の中の場のエネルギーが減るのは,境界の面からエネルギーが流れ出すか,場が中の電荷に仕事をするかのどちらかです.場が電荷にする仕事率は,速度 v の電荷 q について qE⋅v です(磁気力は速度に垂直で仕事をしない).単位体積あたりに直すと,電荷密度と速度の積が電流密度 j なので j⋅E です.面を通るエネルギーの流れを,単位時間に単位面積を通るエネルギー S(単位 Wm−2)で表すと

−ddt∫VudV=∫S⋅dA+∫Vj⋅EdV

となるはずです.右辺の1つ目は領域を囲む閉じた面全体で外向きにとった流束です.各点の式に直すと ∂u/∂t+∇⋅S=−j⋅E で,電荷の連続の式に,電荷に渡す分の項が付いた形です.

問題は,この式を満たす S が本当にあるかです.u を時間で微分し,アンペール・マクスウェルの法則で ε0∂E/∂t を,ファラデーの法則で ∂B/∂t を書きかえると

∂u∂t=ε0E⋅∂E∂t+1μ0B⋅∂B∂t=1μ0(E⋅∇×B−B⋅∇×E)−j⋅E

です.かっこの中は −∇⋅(E×B) に等しい(数学の節)ので,次の定理が出ます.

定理 ポインティングの定理

∂u∂t+∇⋅S=−j⋅E,S=1μ0E×B

S をポインティングベクトルという.大きさは単位時間に単位面積を通るエネルギー,向きはエネルギーの流れる向きである.

エネルギーは E と B の両方に垂直な向きに流れます.j⋅E は,抵抗の中では j=γE から γE2 で正(場から熱へ),電池の中では電荷が電場に逆らって押されるので負(化学のエネルギーから場へ)です.なお,閉じた面全体の流束を変えずに S に発散が0の項を足しても保存の式は成り立つので,S は一意には決まりません.ここでは,相対論とも合う最も簡単な E×B/μ0 を使います.この式は真空での式で,誘電体や磁性体の中では形が変わりますが,この本では扱いません.

静的な場でも S は0とは限りません.点電荷のそばに磁石を置くと E×B は0でなく,エネルギーは閉じた道をぐるぐる回っています.どの閉じた面でも出入りがつり合うので,どこにもたまりません.

抵抗にはエネルギーが側面から入る

半径 a,長さ ℓ のまっすぐな抵抗に,電圧 V がかかって電流 I が流れているとします.抵抗の中の電場は軸に沿って E=V/ℓ です.表面のすぐ外でも,表面に沿う電場の成分は中と同じです(第20章の誘電体の境界と同じく,表面をまたぐ細長い長方形の道で一周すると,ファラデーの法則の右辺は0).表面の磁場は,アンペールの法則から円周に沿って B=μ0I/(2πa) です.電流の向きを +z とすると E は ez 向き,B は eϕ 向きで,ez×eϕ=−er なので,S は軸に向かって内向きです.大きさは

S=EBμ0=Vℓ⋅I2πa=VI2πaℓ

で,側面の面積 2πaℓ を掛けると,入ってくる仕事率は VI=I2R です.端の面では S が面に沿うので出入りはありません.抵抗で熱になるエネルギーは,導線から端を通って入るのではなく,まわりの空間から側面を通って入ってくるのです.

半径a,長さℓの円柱の抵抗に電流Iが流れる.電場Ezは軸に沿い,磁場Bφは表面を回る.ポインティングベクトルSは側面に垂直で,まわりの空間から抵抗の内側へ向く. 半径a,長さℓの円柱の抵抗に電流Iが流れる.電場Ezは軸に沿い,磁場Bφは表面を回る.ポインティングベクトルSは側面に垂直で,まわりの空間から抵抗の内側へ向く.

このエネルギーは電池から出て,導線のまわりの空間を通ってきます.抵抗の小さい導線の中では電場がほぼ0で,表面のすぐ外の電場は導線の表面電荷が作るほぼ表面に垂直な電場なので,S は導線にほぼ平行です.導線はエネルギーを中に通すのではなく,まわりの空間を流れるエネルギーの道案内をしているのです.

JIS式の電池と矩形の抵抗を2本の導線でつなぐ.橙の線は電池の側面から出て導線のまわりの空間を通り,抵抗の側面へ入るエネルギーの流れを示す.上の導線のすぐ下では電場Eは下向き,導線を回る磁場Bは紙面の奥向きで,Sは右向きである. JIS式の電池と矩形の抵抗を2本の導線でつなぐ.橙の線は電池の側面から出て導線のまわりの空間を通り,抵抗の側面へ入るエネルギーの流れを示す.上の導線のすぐ下では電場Eは下向き,導線を回る磁場Bは紙面の奥向きで,Sは右向きである.

充電中のコンデンサー

半径 a,間隔 d の円板コンデンサーを充電しているとします.極板の間の電場 E は軸に沿って増え,側面(r=a)の磁場は,前の題材の変位電流から 2πaB=μ0ε0πa2dE/dt で B=μ0ε0a2dEdt です.抵抗と同じ向きの関係なので S は側面から内向きで,入ってくる仕事率は

2πad⋅EBμ0=ε0πa2dEdEdt=ddt(12ε0E2⋅πa2d)

です.極板の間の電場のエネルギーが増える速さにちょうど等しく,エネルギーは導線から極板を通ってではなく,すき間の側面から入ってきます.ここでは縁の効果(d/a が十分小さい)と,極板の間の磁場のエネルギーと電場の補正(a/(cτ) が十分小さい,τ は充電の時定数)を無視しました.

同軸ケーブルと場の運動量(発展)

同軸ケーブル(内導体の半径 a,外導体の内半径 b)で,内導体が外導体より V だけ高い電位で,電流 I が内導体を行き外導体を帰るとします.間の空間では電場は半径の向き,磁場は円周の向きで,S は軸に沿って負荷の側へ向きます.断面全体で積分すると,送られる仕事率はちょうど VI になります(数学の節の例題3).電力は導体の中ではなく,導体の間の空間を流れています.

エネルギーが流れているなら,運動量も流れています.第13章で見たように,エネルギー U をもつものは質量 U/c2 をもつので(第13章を飛ばした人は,この関係を認めてください),エネルギーの流れ S には単位体積あたり

g=Sc2=ε0E×B

の運動量が伴います.これを使うと,ファインマンの円板のパラドックスが解けます.電荷を固定した絶縁体の円板の軸に,電流を流したソレノイドを置きます.電流を切ると磁場が減り,誘導電場が円板の電荷を円周方向に押すので,円板は回り出します.初めは何も回っていなかったのに,角運動量が生まれたように見えます.ところが初めの状態でも,電荷の電場とソレノイドの磁場の E×B は円周の向きを向いていて,場が角運動量をもっていました.電流を切ると,場の角運動量が円板に移るのです.

正の電荷を縁に固定した絶縁体の円板の軸にソレノイドを通す.軸から見た図では磁場Bは手前向きである.円板の内側では正の縁の電荷による電場Eは中心へ向かい,ソレノイド内でE × Bは反時計回りの円周方向を向く.右に円板とソレノイドの側面図を示す. 正の電荷を縁に固定した絶縁体の円板の軸にソレノイドを通す.軸から見た図では磁場Bは手前向きである.円板の内側では正の縁の電荷による電場Eは中心へ向かい,ソレノイド内でE × Bは反時計回りの円周方向を向く.右に円板とソレノイドの側面図を示す.

問いに戻る

電熱線で熱になるエネルギーは,導線の中を通っては届きません.電池から出たエネルギーは,導線のまわりの空間を導線に沿って流れ,電熱線の側面から中へ入ります.運んでいるのは電子ではなく,空間の電場と磁場で,その流れはポインティングベクトル S=E×B/μ0 で表されます.導線の中の電子の動きが遅くても,エネルギーが速く届くのはこのためです.

ポイント ここまでのまとめ

  • 場のエネルギー密度は u=12ε0E2+B22μ0(真空).

  • エネルギーはその場で保存し,∂u/∂t+∇⋅S=−j⋅E.この式はマクスウェル方程式から導ける(ポインティングの定理).

  • エネルギーの流れは S=E×B/μ0.j⋅E は場から電荷へ渡す仕事率.

  • 抵抗にも充電中のコンデンサーにも,エネルギーは側面から入る.導線はエネルギーの道案内をする.

  • (発展)エネルギーの流れには運動量 g=ε0E×B が伴い,場は角運動量ももつ.

05外積とエネルギーの流れの計算

ここでは,ポインティングベクトルの外積の向きを円筒座標の単位ベクトルで決める方法と,円筒の面を通る流れの計算を確かめ,本体の節で使った ∇⋅(E×B) の公式と,ポインティングの定理を体積で積分した形を示します.

定理 数学の道具:外積と円筒座標の単位ベクトル

a×b は両方に垂直で,a から b へ右ねじを回したときに進む向きを向き,大きさは absin⁡θ である(第8章).順序を入れ替えると符号が変わる.円筒座標の単位ベクトルは右手系で

er×eϕ=ez,eϕ×ez=er,ez×er=eϕ

を満たす.

これで,よく出る組み合わせの向きがすぐ分かります.

  • 軸に沿う電場と円周を回る磁場(抵抗,コンデンサー):Sr=−EzBϕ/μ0.

  • 円周を回る電場と軸に沿う磁場(ソレノイド):Sr=EϕBz/μ0.

  • 半径の向きの電場と円周を回る磁場(同軸ケーブル):Sz=ErBϕ/μ0.

定理 数学の道具:円筒の面を通る流れ

半径 r,長さ ℓ の円筒の側面で Sr が一定なら,側面から外へ出る仕事率は 2πrℓSr,内へ入る仕事率は Pin=−2πrℓSr である.軸に垂直な断面を通る仕事率は,幅 dr の輪の面積 2πrdr を使って ∫Sz2πrdr である.

定理 数学の道具:∇⋅(E×B) の公式

∇⋅(E×B)=B⋅(∇×E)−E⋅(∇×B)

成分で書くと

∇⋅(E×B)=∂∂x(EyBz−EzBy)+∂∂y(EzBx−ExBz)+∂∂z(ExBy−EyBx)

です.積の微分で12の項に分け,E を微分した6項を Bx,By,Bz でまとめると

Bx(∂Ez∂y−∂Ey∂z)+By(∂Ex∂z−∂Ez∂x)+Bz(∂Ey∂x−∂Ex∂y)=B⋅(∇×E)

です.B を微分した6項は,同じようにまとめると符号が逆の −E⋅(∇×B) です.これで本体の節のポインティングの定理の導出が完成します.

これを領域 V で積分し,ガウスの定理で ∇⋅S の体積積分を閉じた面全体の流束に直すと

Pin=−∫S⋅dA=ddt∫VudV+∫Vj⋅EdV

です.面から入る仕事率は,中の場のエネルギーの増える速さと,中の電荷に渡す仕事率(抵抗なら発熱)の和です.両辺を別々に計算して比べると,計算の確かめになります.

練習 E=1.0×103Vm−1 と B=E/c の電場と磁場が互いに垂直なとき,uE,uB と S を求め,S が u=uE+uB の何倍か答えよ.ε0=8.85×10−12Fm−1,μ0=4π×10−7Hm−1,c=3.00×108ms−1 とする.

答え uE=12ε0E2≈4.4×10−6Jm−3.B=3.3×10−6T で uB=B22μ0=ε0μ0E22μ0=uE.S=EBμ0=E2μ0c≈2.7×103Wm−2.S/u=E2/(μ0c)ε0E2=1ε0μ0c=c で,エネルギーが光の速さで運ばれている.

例題

例題 1

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a=0.20mm,長さ ℓ=0.40m,抵抗 R=4.0Ω の一様な電熱線に,直流 I=1.5A が流れている.電熱線は非磁性で,電流は断面に一様に流れ,端の近くは考えない.μ0=4π×10−7Hm−1 とする.

  1. 表面に沿う電場と磁場の大きさ,ポインティングベクトルの半径成分の大きさと向きを求めよ.側面から入る仕事率を発熱と比べよ.

  2. 電熱線の中で,軸からの距離 r<a の円筒の側面から入る仕事率を求め,その円筒の中の発熱と比べよ.

半径a,長さℓの電熱線に軸方向の電流Iが流れる.軸方向の電場Ez,円周方向の磁場Bφと,半径rの同軸の円筒を点線で示す.橙のSの矢印は電熱線の側面から内向きに入るエネルギーの流れを示す.場とSの大きさ,仕事率は記していない. 半径a,長さℓの電熱線に軸方向の電流Iが流れる.軸方向の電場Ez,円周方向の磁場Bφと,半径rの同軸の円筒を点線で示す.橙のSの矢印は電熱線の側面から内向きに入るエネルギーの流れを示す.場とSの大きさ,仕事率は記していない.
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考え方 電熱線内の電場は軸に沿って一様で Ez=IR/ℓ.磁場はアンペールの法則から円周の向き.Sr=−EzBϕ/μ0 で内向きになる.

  1. Ez=1.5×4.00.40=15Vm−1.表面のすぐ外でも,表面に沿う電場は同じである.Bϕ=μ0I2πa=2.0×10−7×1.52.0×10−4=1.5×10−3T.

|Sr|=EzBϕμ0=15×1.5×10−34π×10−7≈1.8×104Wm−2

で,向きは軸へ向かう内向き.側面から入る仕事率は 2πaℓ|Sr|=IRℓ⋅I2πa⋅2πaℓ=I2R=9.0W で,発熱に等しい.

  1. 円筒の内側を流れる電流は Ir2/a2 なので Bϕ=μ0Ir2πa2.入る仕事率は

2πrℓ⋅EzBϕμ0=2πrℓ⋅IRℓ⋅Ir2πa2=I2Rr2a2

発熱の密度 j⋅E は一様なので,全体に対する体積の割合が r2/a2 の円筒の中の発熱も I2Rr2/a2 で,等しい.

確かめ:場が時間変化しないので u の増加は0で,入る仕事率がそのまま発熱になる.エネルギーは側面から入り,軸に近づくにつれて少しずつ熱に変わり,軸の上で S=0 になる.

例題 2

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a=5.0cm,間隔 d=2.0mm の真空の円板コンデンサーを,一定の電流 I=0.50A で充電している.極板の間の電場は一様とし,縁の効果は無視する.ある瞬間の極板の間の電圧は V=1.0×102V だった.μ0=4π×10−7Hm−1 とする.

  1. 極板の間で軸からの距離 r<a の円筒の側面から入る仕事率を,V,I,r,a で表せ.

    1. が,その円筒の中の電場のエネルギーの増える速さに等しいことを確かめよ.

  2. r=a での S の値と,側面全体から入る仕事率を数値で求めよ.

充電中の円板コンデンサーの極板の間に,半径rの円筒を点線で示す.極板の半径はa,間隔はdで,電流Iと軸方向の電場Ez,円周方向の磁場Bφを示す.橙のSの矢印は点線の円筒の側面から内向きに入るエネルギーの流れを示す.求める仕事率とSの値は記していない. 充電中の円板コンデンサーの極板の間に,半径rの円筒を点線で示す.極板の半径はa,間隔はdで,電流Iと軸方向の電場Ez,円周方向の磁場Bφを示す.橙のSの矢印は点線の円筒の側面から内向きに入るエネルギーの流れを示す.求める仕事率とSの値は記していない.
解答を見る

考え方 極板の間の磁場は,前の題材の数学の節の例題1から Bϕ=μ0Ir2πa2.電場は Ez=V/d で,Sr=−EzBϕ/μ0 は内向き.

  1. Pin=2πrd⋅EzBϕμ0=2πrd⋅Vd⋅Ir2πa2=VIr2a2.

  2. 円筒の中の電場のエネルギーは UE=12ε0Ez2⋅πr2d.ε0πa2dEz/dt=I なので

dUEdt=ε0πr2dEzdEzdt=πr2d⋅Vd⋅Iπa2=VIr2a2

で,(1) に等しい.

  1. Ez=1002.0×10−3=5.0×104Vm−1,Bϕ=μ0I2πa=2.0×10−6T なので

S=5.0×104×2.0×10−64π×10−7≈8.0×104Wm−2

側面全体では 2πadS≈2π×5.0×10−2×2.0×10−3×8.0×104≈5.0×101W で,VI=5.0×101W に等しい.

確かめ:回路がコンデンサーに渡す仕事率 VI が,すき間の側面から入る.近似の条件は本体の節と同じで,d/a と a/(cτ) が十分小さいことである.

例題 3

オリジナル ★★★☆☆

同軸ケーブルの内導体(半径 a=0.50mm)と外導体(内半径 b=2.0mm)の間は真空で,ある断面で内導体が外導体より V=1.0×102V だけ高い電位にある.直流 I=2.0A が内導体を +z 向きに行き,外導体を逆向きに帰る.外導体の抵抗は無視でき,内導体には単位長さあたり R′=0.020Ωm−1 の抵抗がある.端から離れた所を考える.

  1. 導体の間の電場の半径成分 Er と磁場 Bϕ を求め,断面を z 向きに通る仕事率がちょうど VI になることを示せ.

  2. 内導体の表面のすぐ外のポインティングベクトルの半径成分を求め,内導体の単位長さに側面から入る仕事率が,単位長さあたりの発熱に等しいことを示せ.1 m 進むごとに失われる仕事率は送る仕事率の何倍か.

左は+z側から見た断面,右は縦断面である.内導体の半径aと外導体の内半径b,半径方向の電場Er,円周方向の磁場Bφを示す.電流Iは内導体を+z向きに進み,外導体を逆向きに戻る.縦断面では導体の間の真空中を+z向きに流れるSと,内導体の表面へわずかに内向きに傾くSを橙の矢印で示す.場とSの値,傾きの数値,仕事率は記していない. 左は+z側から見た断面,右は縦断面である.内導体の半径aと外導体の内半径b,半径方向の電場Er,円周方向の磁場Bφを示す.電流Iは内導体を+z向きに進み,外導体を逆向きに戻る.縦断面では導体の間の真空中を+z向きに流れるSと,内導体の表面へわずかに内向きに傾くSを橙の矢印で示す.場とSの値,傾きの数値,仕事率は記していない.
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考え方 対称性から,電場の主な部分は半径の向きでガウスの法則から,磁場は円周の向きでアンペールの法則から出す.内導体に抵抗があると,表面に沿う小さな電場 Ez=IR′ ができ,S に内向きの成分が生まれる.

  1. 内導体の単位長さあたりの電荷を λ とすると 2πrEr=λ/ε0,V=∫abErdr=λ2πε0ln⁡ba より Er=Vrln⁡(b/a).Bϕ=μ0I2πr.Sz=ErBϕ/μ0=VI2πr2ln⁡(b/a) なので

∫abSz2πrdr=VIln⁡(b/a)∫abdrr=VI

外導体の外では磁場が0なので,電力はすべて導体の間の空間を流れる.

  1. 内導体の中の電場は Ez=IR′ で,表面に沿う成分なので表面のすぐ外でも同じである.Sr=−EzBϕ/μ0=−IR′⋅I2πa で内向き.単位長さの側面から入る仕事率は 2πa⋅I2R′2πa=I2R′ で,単位長さあたりの発熱に等しい.失われる割合は,長さ L=1m に対して

I2R′LVI=IR′LV=2.0×0.020×11.0×102=4.0×10−4

確かめ:表面での Ez/Er=IR′aln⁡(b/a)V≈2.8×10−7 で,S はほとんど軸に平行である.Ez は Sr にだけ寄与するので,(1) の仕事率には影響しない.送る仕事率のごく一部が,内導体の側面へ曲がって入り熱になる.

ポイント ここまでのまとめ

  • 外積の向きは er×eϕ=ez と,その順に回した2つで決める.

  • 側面から入る仕事率は Pin=−2πrℓSr,断面を通る仕事率は ∫Sz2πrdr.

  • ∇⋅(E×B)=B⋅(∇×E)−E⋅(∇×B) からポインティングの定理が出る.体積で積分すると,入る仕事率=場のエネルギーの増加率+電荷に渡す仕事率.

  • 抵抗では側面から入るエネルギーが中で少しずつ熱になり,同軸ケーブルでは電力が導体の間を流れる.

06場のエネルギーとその流れの演習

流入電力と発熱・蓄積を比べ,外積の向きを確かめてください.

演習 1

オリジナル ★☆☆☆☆

体積 2.0×10−4m3 の真空領域に,一定の一様電場 E=3.0×104Vm−1 と磁場 B=1.0×10−4T があります.両者は平行です.ε0=8.85×10−12Fm−1,μ0=4π×10−7Hm−1 とします.

  1. 各場のエネルギー密度と全エネルギーを求めよ.

  2. ポインティングベクトルを求めよ.

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考え方
密度と流れを分ける.

  1. uE=ε0E2/2=4.0×10−3Jm−3,uB=B2/(2μ0)=4.0×10−3Jm−3.体積を掛けると U=1.6×10−6J.

  2. 平行なので S=E×B/μ0=0.密度がほぼ等しくても流れがあるとは限らない.

演習 2

オリジナル ★★☆☆☆

真空中にある内半径 a,外半径 b の非磁性の中空抵抗管に直流 I を +z 向きに流します.軸上の理想導線に,−z 向きに同じ電流を流します.中央の長さ ℓ の部分の抵抗は R,内部の軸方向電場は Ez=IR/ℓ です.軸対称とし,端を無視します.

  1. 管の内面と外面の磁場の接線成分 Bϕ を求めよ.+z 側から見た反時計回りを正とする.

  2. エネルギーが入る面を求め,流入電力を発熱と比べよ.

内半径 a,外半径 b の抵抗管と軸上の理想帰線.抵抗管には +z 向き,帰線には −z 向きに同じ電流 I が流れる.抵抗管の対象部分の長さ ℓ と抵抗 R を示す.断面の ⊙ と ⊗ は電流の向きを表す. 内半径 a,外半径 b の抵抗管と軸上の理想帰線.抵抗管には +z 向き,帰線には −z 向きに同じ電流 I が流れる.抵抗管の対象部分の長さ ℓ と抵抗 R を示す.断面の ⊙ と ⊗ は電流の向きを表す.
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考え方
帰線の磁場と,内面の法線に注意する.

  1. 閉じた円周に沿って一周すると 2πrBϕ=μ0Iin.内面は帰線だけを囲み Bϕ(a)=−μ0I/(2πa),外面は全電流0で Bϕ(b)=0.

  2. ez×eϕ=−er より Sr=−EzBϕ/μ0.内面はSr(a)=I2R/(2πaℓ)>0,外面では0.空洞から内面へ入り,電力は 2πaℓSr(a)=I2R で発熱と等しい.b/ℓ が十分小さく,端から離れた所に適用できる.

演習 3

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a,間隔 d の真空円板コンデンサーを抵抗 R を通して一定電圧 Vf の電源で充電します.初期電荷0.C=ε0πa2/d,τ=RC とし,極板間を一様な Ez=V/d で近似します.d/a,a/(cτ) は十分小さく,c=1/ε0μ0 です.最初の過渡と縁は除きます.

  1. V(t) を求め,変位電流から側面の磁場を求め,流入電力を V と dVdt で表せ.

  2. 流入電力が最大の時刻と値,同時刻の電源の仕事率と発熱率も求めよ.

一定電圧 V_f の電源,抵抗 R,容量 C の充電回路と円板極板の形状.半径 a と間隔 d を記し,極板間の円筒側面を破線と薄い塗りで示す. 一定電圧 V_f の電源,抵抗 R,容量 C の充電回路と円板極板の形状.半径 a と間隔 d を記し,極板間の円筒側面を破線と薄い塗りで示す.
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考え方
電源の電力を発熱と蓄積に分ける.

  1. Vf=RI+V,I=CdVdt より dVdt=(Vf−V)/τ.初期条件から V=Vf(1−e−t/τ).2πaBϕ=μ0ε0πa2dEzdt なので Bϕ=μ0ε0adVdt/(2d).Sr=−EzBϕ/μ0 より

Pin=−2πadSr=CVdVdt=ddt(12CV2)
  1. x=e−t/τ とすると Pin=Vf2x(1−x)/R.x(1−x)=1/4−(x−1/2)2 より,最大は t=τln⁡2,Pin=Vf2/(4R).この瞬間 V=Vf/2,I=Vf/(2R) より電源は VfI=Vf2/(2R),発熱は I2R=Vf2/(4R).差が流入電力に等しい.小さい量は d/a,a/(cτ).最初の t が a/c 程度の過渡も除く.

演習 4

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a,長さ ℓ,単位長さ当たりの巻数 n の真空ソレノイドにI=I0et/τ を流します.a/ℓ と a/(cτ) が十分小さいとしてBz=μ0nI で近似します.抵抗と端を無視し,c=1/ε0μ0 とします.

  1. 内部の半径 r<a での誘導電場 Eϕ(r) と側面からの流入電力を求め,磁場への蓄積率と比べよ.

  2. ソレノイド内部の電場エネルギー UE を体積積分で見積もり,同じ領域の磁場エネルギー UB との比を求めよ.

ソレノイドの半径 a,長さ ℓ,単位長さ当たりの巻数 n と内部の半径 r の円を示す.与えられた磁場 B_z は +z 向きで,横向きの矢印と断面の ⊙ で表す. ソレノイドの半径 a,長さ ℓ,単位長さ当たりの巻数 n と内部の半径 r の円を示す.与えられた磁場 B_z は +z 向きで,横向きの矢印と断面の ⊙ で表す.
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考え方
外積から流入の符号を決める.

  1. 2πrEϕ=−πr2dBzdt から Eϕ=−μ0nIr/(2τ).Sr=EϕBz/μ0 だから Pin=−2πaℓSr(a)=μ0n2πa2ℓI2/τ.一方,UB=Bz2πa2ℓ/(2μ0)=μ0n2πa2ℓI2/2.dIdt=I/τ より dUBdt=Pin.

  2. 体積 2πrℓdr を使うと

UE=∫0aε02(μ0nIr2τ)22πrℓdr=ε0μ02n2I2πℓa416τ2

よって UE/UB=a2/(8c2τ2).(1)は磁場エネルギーだけの近似であり,電場まで含めるには磁場の補正も要る.適用条件は a/ℓ,a/(cτ) の小ささである.

演習 5

オリジナル ★★★☆☆

真空の理想同軸ケーブルの内導体半径は a=0.50mm,外導体の内半径は b です.電流 I=0.10A は内導体を +z,外導体を逆向きに流れます.内導体が V=20V 高電位です.断面の a<r<rm を通る電力 P(rm) を測りました.

rm

1.0mm

2.0mm

4.0mm

P(rm)

0.40W

0.80W

1.20W

  1. ガウスとアンペールの法則から Er,Bϕ を求め,P(rm) の式を導け.

  2. 直線化で模型を確かめ,b を求めよ.最初の測定電力の誤差が ±0.02W のとき,その測定だけから推定する b の範囲を求めよ.この範囲の推定では a,V,I,rm は正確とする.

同軸断面の内導体半径 a,外導体の内半径 b,測定半径 r_m と電位差 V を示す.a と r_m の間を薄く塗る.⊙ は +z 向きの内導体電流,⊗ は逆向きの外導体電流 I を表す.半径は模式的に描く. 同軸断面の内導体半径 a,外導体の内半径 b,測定半径 r_m と電位差 V を示す.a と r_m の間を薄く塗る.⊙ は +z 向きの内導体電流,⊗ は逆向きの外導体電流 I を表す.半径は模式的に描く.
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考え方
対数半径に対して直線化する.

  1. 線電荷密度 λ に対し 2πrEr=λ/ε0.V=∫abErdr=λln⁡(b/a)/(2πε0) より Er=V/[rln⁡(b/a)].Bϕ=μ0I/(2πr) だから Sz=VI/[2πr2ln⁡(b/a)].積分して

P(rm)=∫armSz2πrdr=VIln⁡(rm/a)ln⁡(b/a)
  1. ln⁡(rm/a) は ln⁡2,2ln⁡2,3ln⁡2 で,電力も同比なので原点を通る直線になる.VI=2.0W なので ln⁡(b/a)=2.0ln⁡2/0.40=5ln⁡2.b=32a=16mm.誤差から a22.0/0.42≤b≤a22.0/0.38,約 14mm から 19mm となる.rm=b で P=VI となり,収支が合う.

ポイント 教える人へ

中空導体の内面の法線の向きを問う.
電源の仕事,発熱,蓄積を同じ時刻で比べさせる.
近似の適用条件と,推定値の誤差の非対称性を確かめる.

07第24章の章末問題

変位電流による電荷の収支と,場に蓄えられるエネルギーの収支を結びつけてください.真空では u=ε0E2/2+B2/(2μ0),S=E×B/μ0,c=1/ε0μ0 とします.

演習 1

オリジナル ★☆☆☆☆

面積 A と 2A,間隔がともに d の真空平行板コンデンサーを理想導線で直列につなぎ,理想電源でゆっくり充電します.初めは無帯電で,中間の導体部分は孤立しています.ある瞬間,各コンデンサーの正極板の電荷は Q>0 で,電源からの充電電流は I>0 です.縁の効果と磁場エネルギーを無視します.

  1. 各極板間の電場と,極板全面を貫く変位電流を求めよ.

  2. 各極板間に蓄えられる電気エネルギーと,その増加率の比を求めよ.電源の仕事率との関係も示せ.

極板面積 A と 2A,間隔 d の二つのコンデンサーを直列につなぐ.電源からの充電電流 I と各正極板の電荷 Q を示す.中間導体は橙色で示し,電源の端子から孤立している. 極板面積 A と 2A,間隔 d の二つのコンデンサーを直列につなぐ.電源からの充電電流 I と各正極板の電荷 Q を示す.中間導体は橙色で示し,電源の端子から孤立している.
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考え方
孤立した中間導体の全電荷が0なので,両コンデンサーに蓄積する電荷は等しい.電場の大きさと変位電流の大きさは別々に調べる.

  1. ガウスの法則から E1=Q/(ε0A),E2=Q/(2ε0A) である.正極板から負極板へ向かう法線を各面の正方向とすると,dQdt=I より

Id1=ε0AdE1dt=I,Id2=2ε0AdE2dt=I

電場は異なるが,全面の変位電流は等しい.

  1. 密度を体積に掛けると U1=ε0E12Ad/2=Q2d/(2ε0A),U2=Q2d/(4ε0A).したがって U1:U2=2:1.微分して dU1dt=QId/(ε0A),dU2dt=QId/(2ε0A) なので,増加率も 2:1 である.各電圧 V1=E1d,V2=E2d を使えば,和は (V1+V2)I となり,理想電源の仕事率に等しい.配線での損失は理想導線の仮定により0である.縁の効果と極板間の磁場エネルギーを小さくするには,d/A と装置の大きさを c と変化時間の積で割った比が十分小さいことが必要である.

演習 2

オリジナル ★☆☆☆☆

一様な静電場 E=E0ex と静磁場 B=B0ey が重なる直方体領域を考えます.ex,ey,ez は右手系の単位ベクトルです.z に垂直な断面積は A=2.0×10−4m2,長さは ℓ=2.0×10−2m とします.場を作る電荷と電流は領域の外にあります.E0=2.0×104Vm−1,B0=3.0×10−5T,ε0=8.85×10−12Fm−1,μ0=4π×10−7Hm−1 とします.

  1. 領域に蓄えられる全エネルギーと,z に垂直な一断面を通る電力を求めよ.

  2. 領域の全境界から外へ出る正味の電力を求め,場が静的であることと矛盾しないか説明せよ.

直方体の z に垂直な断面積 A と長さ ℓ を示す.右手系の座標軸に沿って,電場 E₀ は +x 向き,磁場 B₀ は +y 向きに重なる. 直方体の z に垂直な断面積 A と長さ ℓ を示す.右手系の座標軸に沿って,電場 E₀ は +x 向き,磁場 B₀ は +y 向きに重なる.
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考え方
エネルギー密度は場の大きさから,流れは外積から求める.一断面の電力と,閉じた境界の正味の電力を区別する.

  1. uE=ε0E02/2=1.77×10−3Jm−3,uB=B02/(2μ0)=3.58×10−4Jm−3.体積は Aℓ=4.0×10−6m3 だから U=(uE+uB)Aℓ=8.5×10−9J.外積より S=E0B0ez/μ0,したがって +z 向きの断面電力は P=AE0B0/μ0=9.5×101W である.

  2. +z 側の端面から出る電力が P,反対の端面から出る電力が −P,側面からは0なので,正味は0である.流入と流出が等しく,内部で発熱もないため dUdt=0 と整合する.確認すると,E0B0/μ0 の単位は Wm−2 であり,静的な場でも一断面を通る流れは0とは限らない.

演習 3

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a,正電荷 Q が未知の細い絶縁リングを,軸上の観測点Pへ一定の速さ v で近づけます.リングの面は軸に垂直で,中心からPまでの距離を x>0 とします.Pでの電場の正方向はリングからPへ向かう方向です.準静的な電場として

E(x)=Qx4πε0(x2+a2)3/2

を使ってよいとします.変位電流密度 jd=ε0dEdt の符号を測ると,次の結果でした.零点の距離は x∗=(2.00±0.05)cm,そこでの電場は E∗=1.00×104Vm−1 です.電場の不確かさは無視し,ε0=8.85×10−12Fm−1 とします.

x

3.0cm

2.0cm

1.0cm

jd の符号

正

0

負

  1. jd(x) を導き,a,Q を推定せよ.

  2. a,Q の相対不確かさを1次の近似で求めよ.また,Pでの電気エネルギー密度が最大になる距離を求めよ.

軸に垂直な半径 a の絶縁リングと軸上の観測点 P.中心から P までの距離 x と,P に向かう速さ v を示す.リングには未知の正電荷 Q が固定されている. 軸に垂直な半径 a の絶縁リングと軸上の観測点 P.中心から P までの距離 x と,P に向かう速さ v を示す.リングには未知の正電荷 Q が固定されている.
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考え方
空間微分に dxdt=−v を掛けて時間変化を求める.零点が未知の長さを決め,そこでの電場が電荷を決める.

  1. 微分すると

dEdx=Q(a2−2x2)4πε0(x2+a2)5/2,jd=Qv(2x2−a2)4π(x2+a2)5/2

零点は a=2x∗ で,符号の順序も測定と一致する.よって a=2.83cm.この関係を電場へ代入すると E∗=Q/(123πε0x∗2),したがって Q=123πε0x∗2E∗=2.31×10−9C である.

  1. a は x∗ に比例するので δa/a=δx∗/x∗=0.025.Q は x∗2 に比例するので δQ/Q≈2δx∗/x∗=0.050.絶対幅は約 0.07cm,0.12×10−9C となる.E>0 の範囲では uE=ε0E2/2 の極大と E の極大が一致するため,最大は x=a/2=x∗.確認すると,x→0 と x→∞ で電場は0になり,極大の存在と整合する.準静的な式には v/c,不確かさの1次近似には δx∗/x∗ の小ささが必要である.

演習 4

オリジナル ★★☆☆☆

半径 a,間隔 d,容量 C=ε0πa2/d の真空円板コンデンサーに,理想電源で V(t)=V0cos⁡ωt を加えます.極板は固定され,極板間の場は軸対称で,電場の正方向を +z とします.d/a と ωa/c は十分小さく,電場は Ez=V/d と近似します.

  1. 複素インピーダンスから電流を求め,r=a の側面での磁場とポインティングベクトルを求めよ.

  2. 側面から内側へ入る符号つきの電力と,t=0 から π/(2ω) までの流入エネルギーを求めよ.一周期の平均電力も求めよ.

交流電源と容量 C の円板コンデンサー.極板半径 a,間隔 d,電場の正方向である +z 軸と極板間の円筒側面を示す.電源電圧は V(t) = V₀ cos ωt である. 交流電源と容量 C の円板コンデンサー.極板半径 a,間隔 d,電場の正方向である +z 軸と極板間の円筒側面を示す.電源電圧は V(t) = V₀ cos ωt である.
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考え方
まず複素振幅で回路を解き,実際の電流へ戻す.電場と磁場の積が,蓄積と返還を交互に表す.

  1. 複素数の電圧振幅を V^=V0 とすると,ZC=1/(iωC) より I^=iωCV0.実部を取って I(t)=−ωCV0sin⁡ωt となる.+z 側から見て反時計回りの磁場成分を Bϕ とすれば,閉じた円周に沿って一周するアンペール・マクスウェルの法則は 2πaBϕ=μ0I である.ez×eϕ=−er なので

Bϕ(a,t)=−μ0ωCV02πasin⁡ωt,Sr(a,t)=ωCV022πadsin⁡ωtcos⁡ωt
  1. 内向きを正に取ると Pin=−2πadSr=−ωCV02sin⁡ωtcos⁡ωt.これは UE=CV02cos2⁡ωt/2 の微分に等しい.指定した四分の一周期には

∫0π/(2ω)Pindt=UE(π2ω)−UE(0)=−12CV02

初めのエネルギーが電源へ戻る.一周期ではエネルギーが初期値に戻るので平均電力は0である.確認すると,この一致は d/a と ωa/c が十分小さい範囲の先頭の近似であり,極板間の磁場エネルギーは一周期の最大電気エネルギーに対して (ωa/c)2 程度の補正になる.

演習 5

オリジナル ★★☆☆☆

内半径 a,外半径 b,軸方向の高さ h の長方形断面をもつ真空トロイドに,導線を N 回均等に巻きます.巻線が十分密な理想模型で,内部の磁場は円周方向,外部の磁場は0とします.初め電流は I0 で,電源を外して全抵抗 R の閉回路に切り替えます.巻線自身の電場エネルギーは無視します.

  1. 磁場エネルギーの積分から自己インダクタンス L を求めよ.b−a が a に比べて小さい場合の式も求めよ.

  2. 電流の時間変化,時刻 t までの発熱量,磁場に残るエネルギーを求めよ.

トロイドの内半径 a,外半径 b,高さ h,巻数 N と切り替え回路.図のスイッチは電源側の接点から離れ,抵抗 R と巻線の閉回路側につながっている. トロイドの内半径 a,外半径 b,高さ h,巻数 N と切り替え回路.図のスイッチは電源側の接点から離れ,抵抗 R と巻線の閉回路側につながっている.
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考え方
磁場が半径で変わるため,密度を一点で代表させずに積分する.切り替え後は減少した磁場エネルギーが発熱になる.

  1. 半径 r の閉じた道に沿って一周すると 2πrBϕ=μ0NI なので Bϕ=μ0NI/(2πr).体積要素 2πrhdr を使って

UB=∫abBϕ22μ02πrhdr=μ0N2hI24πln⁡(ba)=12LI2

よって L=μ0N2hln⁡(b/a)/(2π).δ=(b−a)/a が十分小さいとき,ln⁡(1+δ)≈δ より L≈μ0N2h(b−a)/(2πa) である.

  1. LdIdt+RI=0 に I∝est を代入すると s=−R/L.τ=L/R として I=I0e−t/τ,UB(t)=LI02e−2t/τ/2.発熱量は

WR=∫0tRI02e−2t′/τdt′=12LI02(1−e−2t/τ)

確認すると WR+UB(t)=LI02/2 である.細い断面の式には (b−a)/a の小ささが必要であり,集中定数回路には装置の最大寸法を cτ で割った比の小ささも必要である.

演習 6

オリジナル ★★☆☆☆

面積 A,間隔 d(t) の真空平行板コンデンサーを,電圧 V>0 を保つ理想電源につなぎます.極板を平行に保ったまま外力でゆっくり引き離し,dddt=v>0 とします.正極板へ流れ込む電流を正とし,縁の効果と磁場エネルギーを無視します.

  1. 電源の電流と,極板面積 A に対応する極板間の固定した平面を貫く変位電流を求めよ.その面は考える短い時間区間を通して極板間にあり,正法線を電場の向きとする.

  2. 電源の仕事率,電気エネルギーの変化率,外力の仕事率を求め,極板間の引力を導け.

電圧 V を保つ電源につないだ面積 A の極板.上側の極板を速さ v で動かし,間隔 d(t) を増やす.極板間に固定した積分面を破線で示し,正法線を正極板から負極板へ向ける. 電圧 V を保つ電源につないだ面積 A の極板.上側の極板を速さ v で動かし,間隔 d(t) を増やす.極板間に固定した積分面を破線で示し,正法線を正極板から負極板へ向ける.
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考え方
電圧一定では,引き離すと容量が減り,電荷が電源へ戻る.エネルギーの微分だけで力を決めず,電源の仕事を収支に入れる.

  1. C=ε0A/d,Q=CV より I=dQdt=−ε0AVv/d2.固定面の電束は ΦE=AV/d なので Id=ε0dΦEdt=−ε0AVv/d2=I.電場の向きが変わらなくても変位電流は負になる.

  2. 電源が外へする仕事率は Psrc=VI=−ε0AV2v/d2.負なので電源がエネルギーを受け取る.一方 UE=ε0AV2/(2d) より dUEdt=−ε0AV2v/(2d2).準静的な収支 dUEdt=Psrc+Pext から Pext=ε0AV2v/(2d2).Pext=Fv より,引力の大きさは F=ε0AV2/(2d2) である.確認すると,電源が受け取る電力は場の減少率と外力の仕事率の和に等しい.必要な小さい比は d/A,v/c,および装置の寸法を電場の変化時間 d/v と c の積で割った比である.

演習 7

オリジナル ★★★☆☆

半径 a の軸対称なコンデンサーで,極板を中央面の上下に対称に曲げ,局所的な間隔を d(r)=d0(1+αr2/a2) とします.α>0 は1程度の定数です.d0(1+α)/a が十分小さく,各半径で平行板として扱います.ゆっくり変わる電圧 V(t) により,中央面では Ez(r,t)=V(t)/d(r) と近似し,Er=0 です.変化時間を τ とし,a/(cτ) は十分小さいとします.

  1. 半径 r<a の円内の変位電流と,円周上の Bϕ を求めよ.全容量も求めよ.

  2. 半径 r の円筒側面から内側へ入る電力を,局所平行板の精度で求め,円筒内の電気エネルギーの変化率と比べよ.α→0 の極限を確かめよ.

半径 a の極板を中央面の上下に対称に曲げる.中心の間隔 d₀,半径 r での間隔 d(r),中央面と半径 r の円筒側面を示す. 半径 a の極板を中央面の上下に対称に曲げる.中心の間隔 d₀,半径 r での間隔 d(r),中央面と半径 r の円筒側面を示す.
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考え方
変位電流は電場を面積で積分して求める.同じ積分が電気容量とエネルギーにも現れる.

  1. V˙=dVdt と書く.中央面を貫く変位電流は

Id(r)=2πε0V˙d0∫0rsds1+αs2/a2=πε0a2V˙αd0ln⁡(1+αr2a2)

閉じた円周に沿って一周して 2πrBϕ=μ0Id(r) より Bϕ=μ0ε0a2V˙ln⁡(1+αr2/a2)/(2αd0r).全面の電荷は Q=ε0∫EzdA なので C=πε0a2ln⁡(1+α)/(αd0) である.

  1. 磁場と電場を厚み内で中央面の値で代表させると,Sr=−EzBϕ/μ0.したがって

Pin(r)=−2πrd(r)Sr=VId(r)=πε0a2VV˙αd0ln⁡(1+αr2a2)

円筒内では dUE=ε0[V/d(s)]2d(s)2πsds/2 なので,積分して UE(r)=πε0a2V2ln⁡(1+αr2/a2)/(2αd0).その微分は流入電力に等しい.確認すると,ln⁡(1+αr2/a2)/α→r2/a2 より,一様な間隔の容量と磁場に戻る.捨てた縁・傾斜・磁場エネルギーの補正を小さくする条件は,指定した d0(1+α)/a と a/(cτ) の小ささである.

演習 8

オリジナル ★★★☆☆

半径 a,b の同心導体球の間を真空とし,内球に +Q(t),外球に −Q(t) を蓄えます.外力で駆動される電荷の輸送装置が,球間を球対称な電流密度 j=−I(t)er/(4πr2) で電荷を内球へ運び,dQdt=I>0 とします.輸送中の正負の電荷は体積電荷密度を打ち消す理想模型です.球対称性により磁場は0とし,外力の仕事以外の損失と運動エネルギーの変化を無視します.

  1. 球間の電場と,外向き法線の球面を貫く伝導電流・変位電流を求め,磁場が0であることとの整合を説明せよ.

  2. 場のエネルギーの増加率を積分で求めよ.ポインティングベクトルが0であるにもかかわらず,エネルギーが増える理由を ∫j⋅EdV から説明せよ.dV は体積要素を表す.

同心導体球の半径 a,b と内球の電荷 +Q,外球の電荷 −Q.球間の積分領域を薄く塗り,電荷の輸送装置による内向き電流密度 j を示す. 同心導体球の半径 a,b と内球の電荷 +Q,外球の電荷 −Q.球間の積分領域を薄く塗り,電荷の輸送装置による内向き電流密度 j を示す.
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考え方
変位電流と伝導電流の和を調べ,エネルギー保存には電場が電荷へする仕事も入れる.

  1. ガウスの法則より E=Qer/(4πε0r2).外向きの伝導電流は −I,電束は ΦE=Q/ε0 なので変位電流は +I である.両者は球間の各点でも j+ε0∂E∂t=0 と打ち消すため,アンペール・マクスウェルの法則と磁場0は整合する.

  2. 場のエネルギーは

UE=∫abε02(Q4πε0r2)24πr2dr=Q28πε0(1a−1b)

よって dUEdt=QI(1/a−1/b)/(4πε0).一方,電場が輸送電荷へする仕事率は

∫j⋅EdV=−QI4πε0∫abdrr2=−QI4πε0(1a−1b)

電荷は電場に逆らって運ばれるので,外力がこの負の仕事を補い,そのエネルギーが場に蓄積する.S=0 でも,dUEdt=−∫j⋅EdV は成り立つ.確認すると,球間電圧 V=Q(1/a−1/b)/(4πε0) に対して増加率は VI となる.指定された球対称な電流密度の下では,この場は時間変化が速くてもマクスウェル方程式を満たす.実際の輸送装置を準静的に扱う場合は b/(cτ) が十分小さいことを確かめる.τ は電荷の変化時間である.

演習 9

オリジナル ★★★☆☆

容量 C と 2C の固定された真空円板コンデンサーを,初めそれぞれ 3V0 と V0 に充電します.負極板を理想導線でつなぎ,時刻0に正極板同士を抵抗 R でつなぎます.電源はなく,配線のインダクタンスは無視します.共通の負極板の電位を0とし,第1から第2へ流れる電流を I>0,各正極板の電位を V1,V2 とします.極板半径と間隔は a1,d1 と a2,d2 です.各極板間の場は軸対称で,電場は一様と近似します.

  1. 電荷保存と回路の式から V1(t),V2(t),I(t) を求めよ.

  2. 各極板間の側面から内側へ入る電力を求め,抵抗の発熱率との収支を示せ.全発熱量も求めよ.

容量 C と 2C の円板コンデンサーの初期電圧は 3V₀ と V₀.正極板間に抵抗 R とスイッチを置き,負極板を共通の導線でつなぐ.第1から第2への電流の正方向 I と極板半径 a₁,a₂,間隔 d₁,d₂ を示す. 容量 C と 2C の円板コンデンサーの初期電圧は 3V₀ と V₀.正極板間に抵抗 R とスイッチを置き,負極板を共通の導線でつなぐ.第1から第2への電流の正方向 I と極板半径 a₁,a₂,間隔 d₁,d₂ を示す.
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考え方
全電荷と電位差を別々に追う.各コンデンサーの流入電力を加えると,抵抗へ渡る電力が現れる.

  1. 全正電荷は CV1+2CV2=5CV0.各正極板について CdV1dt=−I,2CdV2dt=I,抵抗について I=(V1−V2)/R.D=V1−V2 とすれば dDdt=−3D/(2RC).D(0)=2V0,τ=2RC/3 より D=2V0e−t/τ.電荷保存と組み合わせて

V1=53V0+43V0e−t/τ,V2=53V0−23V0e−t/τ,I=2V0Re−t/τ
  1. 各電場の向きを正法線とすると,変位電流は Id1=−I,Id2=I.閉じた円周に沿って一周する法則から Bϕk(ak)=μ0Idk/(2πak).Ek=Vk/dk を使うと,側面からの流入電力は Pk=−2πakdkSrk=VkIdk.したがって P1=−V1I,P2=V2I である.和は −(V1−V2)I=−RI2 で,全電気エネルギーの減少率に等しい.全発熱量は

WR=∫0∞RI2dt=4V02Rτ2=43CV02

確認すると,初期エネルギー 11CV02/2 と最終エネルギー 25CV02/6 の差も同じになる.近似には dk/ak,配線を含む寸法を cτ で割った比,および無視したインダクタンス L に対する L/(Rτ) の小ささが必要であり,切り替え直後の短い過渡は除く.

08第24章の発展問題

放電の経路と場のエネルギーの行き先を区別し,誘導電場による角運動量の移動まで調べます.真空では S=E×B/μ0,u=ε0E2/2+B2/(2μ0),c=1/ε0μ0 とします.

演習 1

オリジナル ★★★★☆

半径 a,間隔 d の円板コンデンサーの極板間を,誘電率 ε0,透磁率 μ0,導電率 γ の一様な弱い導電性媒質で満たします.γ は一定で,j=γE とします.容量は C=ε0πa2/d です.初め V0>0 に充電し,電源を外した後,極板を外部抵抗 R でもつないで放電させます.極板間の場は軸対称で,Ez=V/d と近似し,+z 側から見て反時計回りを磁場成分 Bϕ の正方向とします.d/a と a/(cτ) は十分小さいとし,縁,配線のインダクタンス,極板間の磁場エネルギーの変化を無視します.τ は(1)で求める時定数です.

  1. 放電時定数 τ と V(t) を求め,r<a で伝導電流と変位電流を足して Bϕ(r,t) を求めよ.

  2. 極板間から側面を通って外へ出る電力を求め,外部抵抗の発熱率,媒質内部の発熱率,場のエネルギーの減少率を比較せよ.両方の全発熱量も求めよ.

  3. C,V0,τ が既知で,初期の側面の磁場 B∗=Bϕ(a,0) を測れたとします.R と γ を決め,測定値が模型と両立する範囲を示せ.R→∞ の極限では,磁場とエネルギーの流れがどうなるかも述べよ.

弱い導電性媒質を満たした円板コンデンサーと外部抵抗 R.極板半径 a,間隔 d,半径 r の円,電場 E_z の正方向 +z と側面の磁場 B_* の測定点を示す.磁場の向きは指定しない. 弱い導電性媒質を満たした円板コンデンサーと外部抵抗 R.極板半径 a,間隔 d,半径 r の円,電場 E_z の正方向 +z と側面の磁場 B_* の測定点を示す.磁場の向きは指定しない.
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考え方
電圧の減衰は2つの放電経路の和を測る.一方,磁場を作る電流は,極板間の伝導電流と変位電流の符号つきの和である.

  1. 媒質のコンダクタンスを G=γπa2/d とする.正極板の電荷保存は CdVdt=−(G+1/R)V だから,τ=C/(G+1/R),V=V0e−t/τ となる.極板間の電流密度の和は

jz+jdz=γVd+ε0ddVdt=−VRπa2

半径 r の閉じた円周に沿って一周すると 2πrBϕ=μ0πr2(jz+jdz) より,Bϕ=−μ0Vr/(2πRa2) である.媒質の伝導電流だけから磁場を求めることはできない.

  1. Sr=−EzBϕ/μ0 より,側面から外へ出る電力は Pout=2πadSr(a)=V2/R.媒質の発熱率は ∫γEz2dV=GV2.電気エネルギーは UE=CV2/2 なので

−dUEdt=(G+1/R)V2=Pout+GV2

外部抵抗へは側面を通ってエネルギーが出ていき,媒質ではその場で電場が電荷へ仕事をする.∫0∞V2dt=V02τ/2 より

WR=CV0221/RG+1/R,Wmed=CV022GG+1/R

和は初期電気エネルギーに等しい.

  1. B∗=−μ0V0/(2πaR) より,外部抵抗のコンダクタンスを GR=−2πaB∗/(μ0V0) と置くと 1/R=GR,G=C/τ−GR,γ=d(C/τ−GR)/(πa2).受動的な放電経路には GR≥0,G≥0 が必要なので

−μ0V0C2πaτ≤B∗≤0

端点はそれぞれ媒質の漏れが0,外部抵抗の接続がない場合に対応する.R→∞ では τ=ε0/γ,B=0,S=0 でも,場のエネルギーはすべて媒質内の熱になる.確認すると,変位電流が伝導電流を打ち消すこの極限でもエネルギー保存は成り立つ.準静的な近似には d/a,a/(cτ),および配線の寸法を cτ で割った比の小ささが必要で,切り替え直後の短い過渡は除く.

演習 2

オリジナル ★★★★☆

半径 a,間隔 d,容量 C=ε0πa2/d の真空円板コンデンサーを,抵抗 R とインダクタンス L のコイルの直列回路へつなぎ,放電させます.極板間の場は軸対称とし,電場は一様と近似します.初期電荷は q(0)=Q0>0,初期電流は0です.正極板から出る電流を I=−dqdt とします.L はコイルと配線による値で,極板間の磁場エネルギーの寄与はまず除きます.γ=R/(2L),ω0=1/LC,0<γ<ω0,Ω=ω02−γ2 とします.

  1. 複素指数関数で q(t),I(t) を求め,電荷が初めて0になる時刻 t∗ を求めよ.

  2. 極板間の側面からの符号つき流入電力を求め,0<t<π/Ω でその符号が変わる時刻を示せ.t∗ までにコンデンサーから出たエネルギーが,コイルと熱にどの割合で分かれるか求めよ.

  3. 極板間の磁場エネルギー UBgap を積分で見積もれ.t∗ で電気エネルギーが0になることを踏まえ,これを無視する適切な条件を示せ.

円板コンデンサーと直列の抵抗 R,インダクタンス L のコイル.正極板の電荷 q と,正極板から出る放電電流の正方向 I を示す.極板半径 a,間隔 d と極板間の円筒側面を添える. 円板コンデンサーと直列の抵抗 R,インダクタンス L のコイル.正極板の電荷 q と,正極板から出る放電電流の正方向 I を示す.極板半径 a,間隔 d と極板間の円筒側面を添える.
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考え方
電荷の減衰振動を複素数の根から求める.磁場エネルギーの近似は,0になる電気エネルギーを基準にせず,コイルのエネルギーとの比で判定する.

  1. LdIdt+RI=q/C,I=−dqdt より Ld2qdt2+Rdqdt+q/C=0.q∝est として s2+2γs+ω02=0,根は −γ±iΩ.実数解 q=e−γt(Acos⁡Ωt+Bsin⁡Ωt) に初期条件を入れると A=Q0,B=γQ0/Ω である.したがって

q=Q0e−γt(cos⁡Ωt+γΩsin⁡Ωt),I=Q0ω02Ωe−γtsin⁡Ωt

最初の零点は第2象限にあり,t∗=[π/2+arctan⁡(γ/Ω)]/Ω となる.

  1. 電場の正方向を初めの電場の向きとすると,変位電流は −I,側面の磁場は Bϕ(a)=−μ0I/(2πa).Ez=q/(Cd) より Pin=−2πadSr=−qI/C=ddt(q2/(2C)).指定区間では I>0 だから,0<t<t∗ で流出し,t∗<t<π/Ω で流入する.t∗ までの流出量は初期値 U0=Q02/(2C) である.零点の条件から sin⁡Ωt∗=Ω/ω0 なので,I(t∗)=Q0ω0e−γt∗.よってコイルのエネルギーは UL(t∗)=LI(t∗)2/2=U0e−2γt∗ である.回路の式に I を掛けると ddt(q2/(2C)+LI2/2)=−RI2 だから,熱の割合は 1−e−2γt∗,コイルの割合は e−2γt∗ となる.

  2. 内部では Bϕ(r)=−μ0Ir/(2πa2).したがって

UBgap=∫0aBϕ22μ02πrddr=μ0dI216π=12LgapI2,Lgap=μ0d8π

I≠0 で UBgap/UL=Lgap/L=(ω0a/c)2/8.この比を十分小さくすれば t∗ でも無視できる.電気エネルギーとの比は q→0 で発散するため,近似判定に適さない.確認すると R→0 で t∗→π/(2ω0),熱の割合は0になる.必要な小さい比は d/a,ω0a/c,および配線を含む寸法に対する ω0ℓ/c であり,初期の短い過渡も除く.

演習 3

オリジナル ★★★★☆

内導体半径 a,外導体の内半径 b,長さ ℓ の理想同軸ケーブルで,真空部分を通して直流電力 P>0 を送ります.内導体の電位は外導体より V>0 高く,内導体を +z 向きに I>0,外導体を逆向きに同じ電流が流れます.端の効果を無視します.

  1. 場から送電電力と,単位長さ当たりの電気・磁気エネルギー UE′,UB′ を求めよ.

  2. P と a,b を固定して V,I を選びます.U′=UE′+UB′ を最小にする条件と最小値を求めよ.また,定常場の流れと蓄積の比 vE=P/U′ が c 以下になることを示せ.

  3. 絶縁の制約で V≤Vmax とします.制約下の最適電圧と vE を求め,Vmax→0 の極限を調べよ.

同軸ケーブルの断面と軸を含む断面.内導体半径 a,外導体の内半径 b,長さ ℓ,内導体が高電位となる電位差 V を示す.内導体には +z 向き,外導体には逆向きに同じ電流 I が流れる. 同軸ケーブルの断面と軸を含む断面.内導体半径 a,外導体の内半径 b,長さ ℓ,内導体が高電位となる電位差 V を示す.内導体には +z 向き,外導体には逆向きに同じ電流 I が流れる.
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考え方
電力を一定にして電圧を上げると,電気エネルギーは増え,磁気エネルギーは減る.両者の和を最小にする条件を平方の形で調べる.

  1. h=ln⁡(b/a) とする.ガウスの法則より Er=λ/(2πε0r),電圧の積分 V=∫abErdr=λh/(2πε0) から Er=V/(hr).閉じた円周に沿って一周するアンペールの法則より Bϕ=μ0I/(2πr).したがって Sz=VI/(2πhr2),断面積分は

P=∫abSz2πrdr=VI

単位長さの体積要素 2πrdr を使って

UE′=πε0V2h,UB′=μ0I2h4π
  1. 抵抗の次元をもつ量 Z∗=hμ0/ε0/(2π) を定義すると,U′=(V2/Z∗+Z∗I2)/(2c).P=VI より

U′−Pc=12c(VZ∗−Z∗I)2≥0

等号は V=Z∗I,すなわち Vopt=PZ∗,Iopt=P/Z∗ のとき成り立つ.このとき UE′=UB′=P/(2c),Umin′=P/c,vE≤c である.ここでの vE は,定常場の断面電力を単位長さの場のエネルギーで割って定義した量である.

  1. I=P/V を代入すると U′=[V2/Z∗+Z∗P2/V2]/(2c).その微分は [V/Z∗−Z∗P2/V3]/c なので,V<PZ∗ では負,それより上では正である.よって最適電圧は min(Vmax,PZ∗).Vmax<PZ∗ の場合,x=Vmax2/(PZ∗) とおくと

vE=2cx+1/x

x→0 で vE≈2cx→0 となり,磁場への蓄積が支配的になる.確認すると P/c の単位は Jm−1 であり,x=1 では vE=c に戻る.端を無視する条件は b/ℓ の小ささであり,最後の近似には x の小ささが必要である.

演習 4

オリジナル ★★★★★

半径 a の薄い絶縁円板に,正電荷 Q を面積に比例して固定します.同じ平面の外側にある半径 R>a の薄い絶縁リングには,電荷 −Q を一様に固定します.両者を同じ軸に剛く結合し,全慣性モーメントを I とします.初め静止しており,軸受の摩擦はありません.半径 b<a の十分長い外部ソレノイドを同軸に置き,初めは r<b に +z 向きの一様な磁場 B0 を作ります.ソレノイドは円板の上下にわずかなすき間を設けて機械的接触を避け,すき間による場の補正は無視します.その電流を時間 τ をかけて0にします.外部ソレノイドの外の磁場と,回転する電荷自身の磁場はまず無視します.電荷層の厚さとリングの断面は有限ですが,外部磁場による角力積は薄い極限で求めます.

場の運動量密度は g=ε0E×B とします.場の角運動量は Jfield=∫[r×g]zdV で定義します.十分長いソレノイドの近似では,静電場の積分を z=−∞ から +∞ まで取ってよいとします.

  1. 誘導電場を求め,その電場が円板とリングにそれぞれ与える角力積と,結合した全体の最終角速度を求めよ.

  2. 初めの場の角運動量を,ガウスの法則の積分形を使って求め,(1)の全角運動量と比べよ.

  3. b/a→0 の極限を調べよ.また,回転する電荷の磁場を無視する条件を見積もれ.円板とリングの寸法比は1程度とし,回転が作る磁場の尺度を μ0Q|Ω|/a としてよい.

半径 a,固定電荷 Q の絶縁円板と,半径 R,固定電荷 −Q の外側リングを同じ軸に結合する.半径 b の外部ソレノイドを円板の上下に置く.初期磁場 B₀ は +z 向きで,断面の ⊙ と矢印で表す. 半径 a,固定電荷 Q の絶縁円板と,半径 R,固定電荷 −Q の外側リングを同じ軸に結合する.半径 b の外部ソレノイドを円板の上下に置く.初期磁場 B₀ は +z 向きで,断面の ⊙ と矢印で表す.
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考え方
各電荷が囲む磁束から角力積を求める.場の角運動量の積分では,軸方向に積分した電場をガウスの法則で置き換える.

  1. B˙=dBdt と書き,+z 側から見て反時計回りを正とする.半径 r の閉じた円周に沿って一周するファラデーの法則は 2πrEϕ=−dΦdt だから

Eϕ=−r2B˙(r<b),Eϕ=−b22rB˙(r>b)

電荷 dq が誘導電場から受ける角力積は dJ=dq∫rEϕdt.B0 から0への変化より,r<b では dJ=B0r2dq/2,r>b では dJ=B0b2dq/2.円板の電荷要素 dq=2Qrdr/a2 を使うと

ΔJdisk=QB0a2[∫0br3dr+b2∫bardr]=QB0(b22−b44a2)

リングへの誘導電場の角力積は ΔJring=−QB0b2/2.和は ΔJ=−QB0b4/(4a2),よって Ω=−QB0b4/(4Ia2) で,+z 側から見て時計回りに回る.円板とリングの間の内力によるトルクは,和を取ると消える.個々の物体の最終角運動量はそれぞれの慣性モーメントと共通の Ω の積であり,上の角力積には内力による寄与を含めていない.

  1. 磁場内で gϕ=−ε0B0Er,角運動量密度は rgϕ.半径 r<b の十分長い閉じた円筒にガウスの法則を適用する.端面の電束は高さを無限に伸ばすと消えるので

2πr∫−∞∞Er(r,z)dz=Qin(r)ε0,Qin(r)=Qr2a2

外側リングはこの円筒の外にある.体積要素を使い,軸方向を先に積分すると

Jfield=−2πε0B0∫0br2[∫−∞∞Erdz]dr=−B0∫0brQin(r)dr=−QB0b44a2

これは(1)で得る全角運動量に等しく,外部磁場が消えると,場の角運動量が結合した円板とリングへ移る.

  1. b/a が十分小さいとき,円板とリングはそれぞれ +QB0b2/2,−QB0b2/2 程度の角力積を受け,その先頭の項が相殺する.全体には b4/a2 に比例する小さい残りが現れる.回転磁場の初期外部磁場に対する比の尺度は

μ0Q|Ω|aB0=μ0Q2b44Ia3

この比が小さければ,初期外部磁場に対する回転磁場は小さい.ただし,回転磁場は半径 a 程度の領域にも広がる.E の尺度が Q/(ε0a2),体積の尺度が a3 なので,その場の角運動量の尺度は QBrota2∼μ0Q2a|Ω| となる.これを機械的な角運動量 I|Ω| に対して小さくする十分条件は,μ0Q2a/I が十分小さいことである.この条件なら上の磁場の比も小さく,外部磁場が0になった後に残る場の角運動量も無視できる.確認すると,全角運動量の符号は場の E×B の向きと一致する.ほかに R/ℓ,R/(cτ),|Ω|R/c の小ささが必要で,ℓ はソレノイドの長さである.

演習 5

オリジナル ★★★★★

半径 a,長さ ℓ,導電率 γ,誘電率 ε0,透磁率 μ0 の一様な円柱導線に,角振動数 ω の交流を流します.端から離れた所で軸対称な場 E=Ez(r,t)ez,B=Bϕ(r,t)eϕ を考え,jz=γEz とします.断面全体の伝導電流の複素振幅を I^ とし,実際の電流は I(t)=Re⁡(I^eiωt) です.小さい無次元量 η=ωμ0γa2,δ=ωε0/γ を使い,両者の積と2次以上を捨てます.

  1. 閉じた円周と軸方向の細い長方形に積分形の法則を適用し,複素振幅 E^(r),B^(r) が満たす積分関係を導け.E^ が一定という0次の近似から出発し,E^(r) を η の1次まで求めよ.

  2. 側面の接線電場の積分 V^=ℓE^(a) を電圧と定義します.V^/I^ を求め,その虚部に対応する導線内部のインダクタンスを,磁場エネルギーの積分でも求めよ.

  3. 導線表面の磁場には変位電流も含め,側面からの瞬間の流入電力を同じ精度で求めよ.発熱,電場エネルギー,磁場エネルギーの収支を示せ.η は小さくても δ が小さくない場合に,どの近似が破れるか述べよ.

円柱導線の半径 a,長さ ℓ,軸 z,導電率 γ と断面内の半径 r を示す.半径 r の円周と軸に平行な細い長方形の周回路を破線で描く.電流や電場の分布は加えない. 円柱導線の半径 a,長さ ℓ,軸 z,導電率 γ と断面内の半径 r を示す.半径 r の円周と軸に平行な細い長方形の周回路を破線で描く.電流や電場の分布は加えない.
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考え方
磁場の時間変化は,軸方向電場を半径によって変える.伝導電流の断面積分を固定して補正を決め,表面の磁場には変位電流を加える.

  1. 複素振幅の時間微分は iω 倍になる.半径 r の円周に沿って一周するアンペール・マクスウェルの法則から

2πrB^(r)=2πμ0(γ+iωε0)∫0rE^(s)sds

軸方向の長さ h,半径方向の幅 dr の長方形では,磁束の法則から E^(r+dr)−E^(r)=iωB^(r)dr.すなわち dE^dr=iωB^ である.0次では E^0=I^/(γπa2),B^0=μ0I^r/(2πa2).これを長方形の関係へ代入し,積分すると E^=K+iωμ0I^r2/(4πa2).定数 K は 2πγ∫0aE^rdr=I^ から決まり,

E^(r)=I^γπa2+iωμ0I^4π(r2a2−12)=I^γπa2[1+iη4(r2a2−12)]

変位電流による B^ の補正をここへ戻すと ηδ の次数になるため,指定精度では捨てられる.

  1. 表面の値から

V^I^=R+iωLint,R=ℓγπa2,Lint=μ0ℓ8π

電流 I(t) の瞬間値に対する0次の磁場を使うと

UB=∫0a12μ0(μ0Ir2πa2)22πrℓdr=μ0ℓI216π=12LintI2

インピーダンスからの値と一致する.ここでの I は伝導電流であり,変位電流を含む電流とは区別している.

  1. I˙=dIdt と書く.全断面の変位電流は,∫EzdA=I/γ より Id=ε0I˙/γ.したがって表面では Bϕ(a)=μ0(I+ε0I˙/γ)/(2πa),ℓEz(a)=RI+LintI˙.流入電力は

Pin=2πaℓEz(a)Bϕ(a)μ0=RI2+LintII˙+Rε0γII˙

最後の積で Lintε0I˙2/γ は ηδ の次数なので捨てた.電場の1次補正は断面平均が0であるため,発熱率 ∫γEz2dV の1次補正も消え,発熱率は RI2.同じ精度で電場エネルギーは

UE=ε0ℓI22γ2πa2=Rε0I22γ,ddt(UE+UB)=(Rε0γ+Lint)II˙

よって Pin=RI2+ddt(UE+UB) である.δ が小さくなければ表面の変位電流を小さい補正と扱えず,ηδ の項も改めて判定する必要がある.確認すると,一周期平均では両蓄積項の微分は0となり,平均流入電力は R|I^|2/2 に等しい.近似の条件は η,δ,a/ℓ の小ささで,ηδ=(ωa/c)2 も小さい.

09第24章のまとめ

この章では,アンペールの法則に足りなかった1項,変位電流を足して,電場と磁場の法則を4つのマクスウェル方程式にまとめました.変位電流は,電荷がたまる所で面の選び方によって答えが変わるという矛盾を消し,電荷の保存とも両立させるための項です.完成した法則からは,真空で場が速さ c=1/ε0μ0 で自分で伝わることと,場がエネルギーをもち,そのエネルギーが空間を流れることが出てきました.

定義と法則

定義 変位電流

面を貫く電束 ΦE の変化から作った量 Id=ε0dΦE/dt を変位電流という.各点での密度は jd=ε0∂E/∂t で,単位は電流と同じ A(密度は Am−2)である.電荷の流れではないが,電流と同じように磁場を作る.電荷の保存とガウスの法則から,同じ道を縁とするどの面でも,電流と変位電流の和は同じになる.

法則 マクスウェル方程式

法則

積分形

微分形

ガウスの法則(第20章)

閉じた面で ∫E⋅dA=Qinε0

∇⋅E=ρε0

磁場のガウスの法則(第22章)

閉じた面で ∫B⋅dA=0

∇⋅B=0

ファラデーの法則(第23章)

閉じた道で ∫E⋅dl=−dΦdt

∇×E=−∂B∂t

アンペール・マクスウェルの法則(第22章と第24章)

閉じた道で ∫B⋅dl=μ0I+μ0ε0dΦEdt

∇×B=μ0j+μ0ε0∂E∂t

積分形の Φ,ΦE,I は閉じた道を縁とする止まった面についての量で,面の向きと道を回る向きは右ねじの関係にとる.積分形と微分形はガウスの定理とストークスの定理で互いに直せ,同じことを言っている.1行目と2行目は場の湧き出し(電場には電荷という湧き出しがあり,磁場にはない),3行目と4行目は場の渦(電場の渦は磁場の変化が,磁場の渦は電流と電場の変化が作る)を述べる.場が電荷に及ぼす力はローレンツ力 F=q(E+v×B)(第22章)である.

定理 電荷の保存

アンペール・マクスウェルの法則の微分形の発散をとり,∇⋅∇×B=0 とガウスの法則を使うと,第21章の連続の式

∂ρ∂t+∇⋅j=0

が出る.変位電流の項が無いと ∇⋅j=0 がいつも要求され,電荷がたまることが許されない.同じようにファラデーの法則の発散から ∂/∂t(∇⋅B)=0 で,ある時刻に ∇⋅B=0 なら,それはずっと保たれる.

定義 準静的近似

各瞬間の電荷と電流から,静的な場の式で場を求めることを準静的近似という.大きさ L の装置で場が時間 τ 程度で変わるとき,磁場の補正の割合は (L/(cτ))2 程度で,光が装置を横切る時間が変化の時間よりずっと短ければ使える.捨てるのは,場の変化が作った場がさらに場を作るという連鎖の2段目で,コンデンサーの極板の間の変位電流は捨てない.金属の中では変位電流と伝導電流の比が ωε0/γ で,ふつう無視できる.

法則 場のエネルギー密度

真空中の電場 E と磁場 B は,単位体積あたり

u=uE+uB=12ε0E2+B22μ0

のエネルギーをもつ.コンデンサーのエネルギー(第20章)とソレノイドのエネルギー(第23章)を,場のある空間の体積あたりに直したものにあたる.2つが等しくなるのは B=E/c のときである.

定理 ポインティングの定理

∂u∂t+∇⋅S=−j⋅E,S=1μ0E×B

S をポインティングベクトルといい,大きさは単位時間に単位面積を通るエネルギー,向きはエネルギーの流れる向きである.j⋅E は場が電荷に渡す仕事率で,抵抗の中では γE2 で正(場から熱へ),電池の中では負(化学のエネルギーから場へ)である.マクスウェル方程式から導ける.領域 V で積分すると

Pin=−∫S⋅dA=ddt∫VudV+∫Vj⋅EdV

(S の積分は閉じた面全体で外向き)で,面から入る仕事率は,中の場のエネルギーの増える速さと中の電荷に渡す仕事率の和である.S に発散が0の項を足しても保存の式は成り立つので,S は一意には決まらない.ここで使った式は真空での式である.

手順

ポイント 場の法則とエネルギーの流れの問題を解く手順

  1. 対称性から場の向きを絞る.軸対称なら磁場は円周の向き,球対称なら半径の向きだけが許される.

  2. 積分形を使うなら,場が一定になる道や面を選ぶ.縁が同じなら面は自由に選べるので,電流が貫く面でも,変位電流だけが貫く面でもよい.

  3. 流束と循環の向きをそろえる.閉じた面では外向き,縁のある面では縁を回る向きと右ねじの関係にとる.

  4. S の向きは er×eϕ=ez とその順に回した2つで決める.面から入る仕事率と,中の場のエネルギーの増える速さと発熱の和を別々に計算して比べると,確かめになる.

  5. 使った近似の条件を確かめる.縁の効果を無視するには d/a が十分小さいこと,準静的近似には装置の大きさが cτ よりずっと小さいことが要る.

主な公式

  • 変位電流:Id=ε0dΦE/dt.平行板コンデンサーの極板の間では ε0dΦE/dt=dQ/dt=I

  • 充電中の円板コンデンサー(半径 a)の極板の間の平面の磁場:B=μ0Ir2πa2(r<a),B=μ0I2πr(r>a)

  • 球対称に広がる電荷:電流と変位電流が各点で打ち消し合い,j+ε0∂E/∂t=0 で磁場はできない

  • 真空の渦の式:∇×E=−∂B/∂t,∇×B=1c2∂E/∂t,c=1ε0μ0=3.00×108ms−1

  • 真空を進む場 E=E0cos⁡(kz−ωt)ex,B=B0cos⁡(kz−ωt)ey:ω/k=c,B0=E0/c で,+z 向きに速さ c で進む

  • 準静的近似の補正の割合:(L/(cτ))2.50Hz では cτ≈950km,1GHz では cτ≈5cm

  • エネルギー密度:u=12ε0E2+B22μ0

  • ポインティングベクトル:S=E×B/μ0.互いに垂直な E と B=E/c では uE=uB,S/u=c

  • 円筒座標の外積:er×eϕ=ez,eϕ×ez=er,ez×er=eϕ.軸に沿う電場と円周を回る磁場では Sr=−EzBϕ/μ0(内向き)

  • 円筒の面を通る流れ:側面から入る仕事率 Pin=−2πrℓSr,断面を通る仕事率 ∫Sz2πrdr

  • 抵抗(半径 a,長さ ℓ):表面で S=VI2πaℓ,側面全体から VI=I2R が入る

  • 充電中の円板コンデンサー:側面から入る仕事率 2πad⋅EBμ0=ddt(12ε0E2⋅πa2d)

  • 同軸ケーブル:Er=Vrln⁡(b/a),Bϕ=μ0I2πr,断面を通る仕事率 ∫abSz2πrdr=VI

  • (発展)場の運動量密度:g=S/c2=ε0E×B

各題材の問いへの答え

  • 変位電流とマクスウェル方程式:充電している間,極板のすき間のまわりにも磁場はできる.すき間では電流は流れていないが,電場が増えていて,その変位電流 ε0dΦE/dt が導線の電流 I にちょうど等しいからである.極板より外側の円では,磁場は導線のまわりと同じ μ0I/(2πr) で,すき間の所で途切れることはない.

  • 場のエネルギーとその流れ:電熱線で熱になるエネルギーは,導線の中を通っては届かない.電池から出たエネルギーは導線のまわりの空間を導線に沿って流れ,電熱線の側面から中へ入る.側面から入る仕事率はちょうど I2R である.運んでいるのは電子ではなく空間の電場と磁場で,その流れは S=E×B/μ0 で表される.導線の中の電子の動きが遅くてもエネルギーが速く届くのはこのためで,導線はエネルギーの道案内をしている.

電磁気の分野をふり返って

第20章の初めに示した見取り図は,「電荷が場を作り,場が電荷に力を及ぼす」という見方と,電場と磁場の法則を言葉で書いた4つの文でした.この章のマクスウェル方程式の表は,その4つを同じ順に式で書いたもので,4つ目の文にあった「電場の流束の変化」が,この章で足した変位電流です.第20章から第23章で静電気,電流と磁場,電磁誘導と1つずつ確かめてきた法則は,この4つの式とローレンツ力にすべてまとまり,そこから電荷の保存,光の速さ,場のエネルギーの流れまでが出てきました.

この章で使った数学

流束と循環とその向きの約束,ガウスの定理とストークスの定理による積分形と微分形の行き来,どんな場でも成り立つ ∇⋅(∇×F)=0 と ∇×(∇⁡f)=0,外積と円筒座標の単位ベクトル,そして ∇⋅(E×B)=B⋅(∇×E)−E⋅(∇×B) を使いました.対称性があるときは積分形が掛け算で済んで便利で,微分形は各点で何が起きているかを述べ,法則どうしを組み合わせるのに向いています.この章で完成した法則から,第25章で波の性質を調べたあと,第26章で電磁波を導きます.